英飞凌IPD30N10S3L34ATMA1汽车级功率晶体管技术规格

“IPD30N10S3L34ATMA1 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf”提供了英飞凌（INFINEON）公司生产的IPD30N10S3L34型号的OptiMOS®-T功率晶体管的详细技术参数和特性。 该芯片是一款N沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于汽车电子领域，已通过AEC-Q101汽车级质量认证，确保了在严苛环境下的可靠性能。它符合RoHS标准，是一款绿色产品，且在制造过程中遵循了最高260°C峰值回流焊温度的MSL1湿度敏感等级标准。 在最大额定值方面，当结温Tj为25°C，栅极电压VGS为10V时，连续漏电流ID为30A；而当结温升至100°C时，漏电流降为20A。此外，该器件能承受脉冲漏电流ID,pulse高达120A，单脉冲雪崩能量EAS在ID=15A时达到138mJ，而单脉冲雪崩电流IAS则为30A。栅极源电压VGS的最大值为±20V，而总功率损耗Ptot在25°C下限制为57W。 在操作和存储温度范围内，IPD30N10S3L34可在-55°C到+175°C的宽温区间内正常工作。根据IEC气候类别DIN IEC68-1，其耐受的温度循环条件为55°C/175°C/56小时。在电气特性方面，最大漏极-源极电压VDS为100V，最大漏极-源极导通电阻RDS(on)为31mΩ，额定漏极电流ID为30A。 封装信息显示，该芯片采用PG-TO252-3-11封装，标记为3N10L34。热特性方面，芯片-壳体热阻RthJC未给出具体数值，但最大值为2.6 K/W。对于表面贴装设备（SMD）版本，在最小散热板条件下，芯片-环境热阻RthJA的典型值可低至62℃/W，这表明该器件具有良好的散热能力。 IPD30N10S3L34是一款高性能、高可靠性，适用于汽车电子应用的N沟道MOSFET，其卓越的热管理和电气性能使其成为各种功率转换和控制电路的理想选择。