三星LPDDR4内存规格说明：SEC_K3RG2G20BM-MGCH000

"SEC_K3RG2G20BM-MGCH000_DRAM_366F 15x15 for All Customers（LPDDR4）.pdf" 本文档详细介绍了三星的LPDDR4（低功耗双倍数据速率4同步动态随机存取内存）芯片，该芯片设计用于需要高效能和低能耗的现代电子设备。LPDDR4内存是LPDDR3的升级版，旨在满足移动设备、数据中心和其他对能源效率有高要求的应用的需求。 首先，该LPDDR4内存采用超低电压核心和I/O电源供应，这是其节能特性的重要组成部分。它的工作频率范围为933到10 MHz，对应的数据传输率范围为1866到20 Mb/s/pin，这表明了它的高速性能。 内存架构基于8n预取的DDR设计，这意味着数据在每个时钟周期内可以被预取8次，提高了数据处理速度。内存内部包含8个银行，允许同时操作，进一步提升了并行处理能力。命令和地址输入是复用的，双数据速率模式下，命令在CK_t和CK_c的每个边沿进入。 此外，该内存支持双向/差分数据 strobe（DQS_t/DQS_c），每个数据字节都有独立的数据 strobe，确保数据传输的精确同步。它还具有可编程的读取（RL）和写入（WL）延迟，用户可以根据系统需求进行调整。内存突发长度设定为8，意味着每次连续访问的数据单元为8个。 为了提高能效，该LPDDR4内存提供了多种节能功能，如按银行刷新（Per-bank refresh），允许在不同银行间并发操作，减少了不必要的功耗。温度补偿的自刷新（TCSR）功能可以在各种环境温度下保持数据完整性。部分数组自刷新（PASR）则允许只刷新内存中的活跃部分，而非整个内存阵列，进一步节省能量。深功率下降模式（DPD）在设备待机时可进一步降低功耗。 输出驱动强度（DS）可选，允许用户根据系统需求调整输出信号的强度。时钟停止能力允许在不需要时关闭时钟，减少不必要的功耗。内置终端电阻（On-die termination, ODT）有助于减少信号反射，提高信号质量。 文档还提到了产品的环保包装，符合RoHS标准，即无铅且“绿色”。然而，三星明确指出，其产品不适用于生命维持、医疗、安全设备或类似应用，因为在这些应用中产品故障可能导致生命或人身伤害。对于最新的产品信息或详细资料，建议联系最近的三星办事处。 最后，文档强调，三星电子保留随时更改产品和规格的权利，所有提供的信息仅供参考，且不提供任何明示或暗示的保证。所有品牌名称、商标和注册商标归各自所有者所有。文档版权属于三星电子，未经许可，不得授予任何专利、版权、掩模工作、商标或其他知识产权。 三星的LPDDR4内存芯片是一款高性能、低功耗的内存解决方案，适合需要高效能和节能特性的现代电子设备。其特性包括高速数据传输、多银行并发操作、节能模式以及灵活的配置选项，旨在优化系统性能和能效。