SMD器件S参数测量：端口延伸与TRL校准方法研究

本文主要探讨了表面贴装器件（SMD）S参数测量方法的研究，随着SMD在微波射频领域的广泛应用，测量其S参数的需求日益凸显，尤其是在取代传统同轴接口器件后。传统的矢量网络分析仪作为测量器件S参数的重要工具，面临的一个挑战是其设计为同轴结构，无法直接适应SMD的测试需求。 首先，文章强调了测量SMD S参数时的关键问题：同轴式矢量网络分析仪的校准参考平面与测试夹具的测量平面不匹配。这种不一致性导致测试结果包含了器件和夹具的综合S参数，而非单独的器件参数。因此，消除测试夹具带来的误差至关重要。 为了解决这一问题，文章提出了两种主要的补偿方法：端口延伸和TRL（传输反射线）校准。端口延伸是一种简便的补偿方式，通过延长分析仪的测量端口，使参考平面更接近实际的测试环境，从而减少夹具的影响。这种方法适用于测量精度要求较高且不易找到匹配校准件的情况。 另一方面，TRL校准则更为精确，它通过测量两个传输标准和一个反射标准，计算出12项误差系数，用于修正测量中的不一致性。这种方法尤其在需要高精度测量或者使用特殊测试设备（如夹具或晶片上测量）时显得尤为重要，因为它能提供更全面的校准信息。 本文详细介绍了如何有效地利用同轴式矢量网络分析仪对SMD进行S参数测量，包括端口延伸法和TRL校准法的原理、实施步骤以及在实际应用中的优势。这些方法对于确保SMD性能评估的准确性具有重要意义，对于从事SMD研发和测试的工程师来说，理解和掌握这些技术是至关重要的。