IRFZ44NPBF-VB: 60V N沟道TO220封装MOSFET特性与规格
IRFZ44NPBF-VB是一种高性能的N沟道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),它采用了先进的Trench FET技术,具有较高的耐高温特性,能够承受高达175°C的结温。这款MOSFET被封装在TO220标准封装中,适合于对功率密度和散热性能有较高要求的应用场景。 该器件的主要特点包括: 1. **电压等级**:IRFZ44NPBF-VB支持宽广的栅极-源极电压范围,最大可达±20V,确保了在各种信号处理条件下稳定的性能。 2. **电流能力**: - **连续漏极电流(ID)**:在环境温度为25°C时,可以提供60A的持续电流;而在100°C时,该电流降低到50A。 - **脉冲漏极电流(IDM)**:可承受200A的峰值电流,适合短时间脉冲工作负载。 - **单次雪崩电流(IAS)**:在低占空比(≤1%)下,能承受50A的雪崩电流。 - **连续源极电流(IS)**:对于二极管导通条件,最大可达50A。 3. **能量处理能力**:单个雪崩能量限制为125mJ,这有助于保护设备在突发高电压事件中。 4. **功率损耗**:在典型工作条件下,最大功率损耗为136W,而在环境温度25°C时,热阻限制了结温上升。 5. **温度范围**:IRFZ44NPBF-VB适用于宽泛的工作温度,从-55°C到175°C,包括操作结温和存储温度。 6. **散热性能**:热阻数据表明,结温与环境温度之间的热阻典型值为15°C/W(在不超过10秒的时间内)和稳态时的40°C/W,以及结区与封装之间的热阻约为0.85°C/W(或1.1°C/W的最大值)。 此外,值得注意的是,该产品对于表面安装也有考虑,可以安装在1"x1"FR4板上,且需注意包装限制,对于长时间的热管理,时间限制为10秒。 产品总结表中列出了在不同栅极-源极电压下的漏极电阻(RDS(on)),如在VGS=10V时为0.011Ω,VGS=4.5V时为0.013Ω。 最后,IRFZ44NPBF-VB的数据表提供了服务热线400-655-8788,以供用户查询和获取进一步的技术支持。设计者在选择和使用这款MOSFET时,应充分考虑这些关键参数以确保系统的稳定性和效率。
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