Elpida LPDDR2 8Gbits 内存规格与特性

"LPDDR2 256*32 168BALL EDB8132B3PB" 本文将详细介绍LPDDR2 256*32内存芯片，该芯片由Elpida Memory, Inc.制造，适用于移动设备，具有低功耗和高效能的特点。LPDDR2（Low Power Double Data Rate SDRAM Second Generation）是针对移动设备设计的内存标准，旨在减少能耗，提高电池寿命，同时保持高速数据传输。 规格方面，这款内存芯片的密度为8Gbits，这意味着它能够提供大量的存储容量。组织结构为16M字×32位×8个银行×2个 ranks，每个rank包含两片4Gb（×32）内存颗粒，组合成单个封装。数据速率最大可达1066Mbps，这是一个较高的速度，允许快速的数据处理。 封装形式为168-ball Fine Pitch Ball Grid Array (FBGA)，尺寸为12.0mm × 12.0mm，球间距为0.5mm。这种小型化设计使得芯片适合在空间有限的移动设备上使用。此外，该封装符合RoHS标准，不含铅且无卤素，符合环保要求。 电源供应方面，芯片工作电压包括VDD1（1.70V to 1.95V）用于主电源，VDD2和VDDQ（1.14V to 1.30V）用于数据线路。接口类型为HSUL_12，这是一种高速、低功耗的接口标准，适合移动应用。 在功能特性上，该LPDDR2内存芯片遵循JEDEC的LPDDR2-S4B规范，不包含DLL（Delay-Locked Loop）。其低功耗特性体现在多种功能上，如Partial Array Self-Refresh (PASR)允许只对部分内存阵列进行刷新，节省能量；Auto Temperature Compensated Self-Refresh (ATCSR)利用内置温度传感器自动调整刷新频率以适应环境温度变化；Deeppower-down模式则可以在不使用时进一步降低功耗；Per Bank Refresh允许独立对每个bank进行刷新，提高了效率。 此外，该内存芯片还支持Package on Package (PoP)技术，这是一种将处理器和内存封装在一起的解决方案，有助于减小设备的整体尺寸和厚度。引脚配置包括CA0到CA9、DQS0到DQS3、/DQS0到/DQS3、DQ0到DQ31、/CS0、CK和/CK反相信号、VDD2、CKE0、VSS、DM0到DM3、ZQ、VDD1、VREFCA、VDDQ、VREFDQ、/CS1以及CKE1，这些引脚负责与系统其余部分进行通信和控制。 LPDDR2 256*32内存芯片EDB8132B3PB是一款专为移动设备设计的高性能、低功耗内存解决方案，其紧凑的封装、高效的电源管理和高级特性使其成为现代移动设备的理想选择。