STM32H750外扩FLASH死机问题解决: Cache关键影响

需积分: 5 1 下载量 194 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 452KB PDF 举报
"应用笔记LAT1151+程序运行在+STM32H750+的外扩+FLASH+上两小时后死机" 在本文档中,我们讨论了一个客户遇到的问题,即在其STM32H750VBT6微控制器(MCU)上,通过QSPI接口外扩了一块4M NOR FLASH并采用内存映射模式运行程序。在程序运行约两小时后,MCU会出现死机现象。问题在KEIL IDE下可复现,死机位置主要集中在TIM15函数入口和中断服务函数中的赋值语句。 首先,问题分析从硬件层面入手,注意到死机发生在即将进入TIM15中断服务程序之前。考虑到电源稳定性,检查了VCAP引脚的连接,建议客户将这两个引脚短接,但问题依旧。接着,检查了PC13引脚的GPIO输出,尽管该引脚可能与备份域相关,但断开连接后问题仍然重现,说明硬件部分不是根本原因。 接下来,转向软件层面,客户已启用IO补偿功能,但IO速度设置为HIGH。修改为"VERY_HIGH"后,问题未得到解决。鉴于之前有低功耗唤醒后死机的情况,怀疑可能与CACHE有关。客户在关闭CACHE后,问题未再出现,但这并未完全解决问题,因为代码的某些改动也可能影响死机现象,但具体规律尚未明确。 为了进一步确认CACHE的影响,建议客户在调试模式下手动关闭ICache和DCache,并在使用CACHE之后的代码行设置断点。当程序运行到断点并停止后,通过系统控制配置界面关闭CACHE相关位。客户遵循这个步骤,发现关闭CACHE确实能防止死机。 综合上述情况,问题可能与STM32H750的CACHE管理和低功耗模式相关。在特定条件下,如长时间运行或特定代码执行后,可能导致CACHE异常或与中断处理的交互出现错误,从而造成死机。解决方案可能是优化代码以避免特定时间段的CACHE使用,或者在进入低功耗模式前更妥善地管理CACHE状态。客户需继续进行深入的软件调试,寻找可能的代码触发点,同时关注与CACHE、中断服务和低功耗模式相关的MCU特性,以便彻底解决死机问题。