6402-VB P-Channel MOSFET: 参数详解与应用指南
195 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 205KB PDF 举报
"6402-VB是一款由VB Semiconductor推出的P-Channel沟道MOSFET晶体管,适用于SOT23封装。其主要特性包括:-20V的额定漏源电压(VDS),最大连续漏极电流为-4A,在VGS=4.5V时的导通电阻RDS(ON)为57毫欧,阈值电压Vth为-0.81V。此外,该器件的栅极-源极电压可承受±12V,并且具有低栅极电荷(Qg)设计,约为10nC。"
6402-VB MOSFET是一种P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管,设计用于低压、大电流应用。在25°C时,它的最大连续漏极电流ID为-4.0A,随着温度升高,这个值会有所下降。例如,在70°C时,ID的最大值为-3.2A。其额定的漏源电压VDS为-20V,意味着它能承受的最大电压差为20伏,确保了在高电压环境下的稳定性。
这款MOSFET的阈值电压Vth为-0.81V,意味着当栅极-源极电压低于这个值时,晶体管将不会导通。导通电阻RDS(ON)是衡量MOSFET在导通状态下内部电阻的关键参数,对于6402-VB,当VGS=4.5V时,RDS(ON)为57毫欧,这意味着在低电压下能提供较低的导通电阻,从而降低功耗和热损耗。
6402-VB的栅极电荷Qg是衡量开启或关闭晶体管所需能量的指标,其典型值为10nC,这有助于快速开关操作。同时,该器件具备表面贴装的SOT23封装,便于集成到电路板上。
在热性能方面,6402-VB的典型最大结到外壳热阻RthJA为75°C/W,这意味着每增加1W的功率损耗,结温将上升75°C。最大结温TJ为150°C,确保了在正常工作条件下的可靠性。
6402-VB MOSFET适用于需要高效能、低电阻和紧凑封装的P-Channel应用,如电源管理、逻辑切换、负载开关等场景。由于其优秀的电气特性和热性能,它在设计时需要考虑的散热问题相对较少,为工程师提供了灵活的设计选择。
2024-06-04 上传
2024-03-18 上传
2024-03-21 上传
2024-03-16 上传
2024-03-29 上传
2024-03-13 上传
2024-03-29 上传
2024-03-29 上传
2024-03-25 上传
VBsemi_MOS
- 粉丝: 8081
- 资源: 2574
最新资源
- C++ Qt影院票务系统源码发布,代码稳定,高分毕业设计首选
- 纯CSS3实现逼真火焰手提灯动画效果
- Java编程基础课后练习答案解析
- typescript-atomizer: Atom 插件实现 TypeScript 语言与工具支持
- 51单片机项目源码分享:课程设计与毕设实践
- Qt画图程序实战:多文档与单文档示例解析
- 全屏H5圆圈缩放矩阵动画背景特效实现
- C#实现的手机触摸板服务端应用
- 数据结构与算法学习资源压缩包介绍
- stream-notifier: 简化Node.js流错误与成功通知方案
- 网页表格选择导出Excel的jQuery实例教程
- Prj19购物车系统项目压缩包解析
- 数据结构与算法学习实践指南
- Qt5实现A*寻路算法:结合C++和GUI
- terser-brunch:现代JavaScript文件压缩工具
- 掌握Power BI导出明细数据的操作指南