领泰LT4201FMT MOS管：高性能电源管理解决方案

"LEAD-TECK领泰是一家专注于电子元器件的企业，其产品包括MOS管等。KOYUELEC光与电子是LEAD-TECK领泰的授权一级代理商，提供LT4201FMT1/7LT-M-FM-DS650型号的MOS管。这款MOS管是一款P-通道增强模式功率MOSFET，适用于电池开关、负载开关以及电源管理等应用。" LEAD-TECK领泰的LT4201FMT1/7LT-M-FM-DS650是一款高性能的P-通道增强模式功率MOSFET，设计用于在各种电子设备中实现高效能的电源管理和开关功能。这款MOS管的特性包括其耐压能力、电流承载能力和热性能。 首先，该MOSFET的最大漏源电压(VDSS)为-20V，确保了在高电压环境下工作的稳定性。门极源极电压(VGSS)可承受±12V的范围，保证了控制电路的兼容性和安全性。在25°C的工作温度下，连续漏极电流(ID)可以达到-20.7A，而在70°C时则降低至-16.5A。脉冲漏极电流(IDM)的最大值为-60A，这意味着它能够在短时间内处理大电流的脉冲。最大功耗(PD)为3.5W，保证了在工作时不会过热。 在热性能方面，最大结壳热阻(RthJA)为36°C/W，这意味着在短时间内，MOSFET内部的热量可以通过外壳散发到周围环境。此外，这款MOSFET可以在-55°C至150°C的温度范围内正常工作或存储，具有宽泛的温度适应性。 LT4201FMT1/7LT-M-FM-DS650的低导通电阻(RDS(ON))是其关键优势之一，随着门极电压(VGS)的不同，RDS(ON)有明显的差异：在VGS=-10V时，典型值为4.6mΩ；在VGS=-8.0V时，为4.7mΩ；在VGS=-4.5V时，为5.3mΩ；最后，在VGS=-2.5V时，RDS(ON)的典型值为6.7mΩ。低的RDS(ON)意味着在导通状态下，MOSFET的功率损耗更小，工作效率更高。 这款MOS管的封装形式为TDFN2*2-6L，小巧的体积适合在空间有限的电路板上使用。电气特性参数如漏源击穿电压(V(BR)DSS)、零门极电压漏极电流(D)等，都在规格书中给出了详细的测试条件和范围。 LEAD-TECK领泰的LT4201FMT1/7LT-M-FM-DS650 MOS管因其出色的性能参数和广泛应用场景，成为电源管理解决方案的理想选择。作为其一级代理商，KOYUELEC光与电子能够为客户提供可靠的产品和专业的技术支持。