BUK9832-55A-VB：N沟道TrenchFET功率MOS管详细参数

"BUK9832-55A-VB是一款N沟道MOSFET，采用SOT223封装，适用于各种电源管理、开关应用等。这款器件符合RoHS指令，并且不含卤素，具有良好的环保特性。其主要特点包括采用TrenchFET技术的功率MOSFET设计，能够承受175°C的最大结温，适用于高温环境。" 正文: BUK9832-55A-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用了先进的TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上蚀刻出深沟槽，提高了器件的沟道密度，从而降低了导通电阻，提升了开关性能。这款MOSFET特别适合于需要高效能、低损耗的电源管理、开关电源、电机驱动等应用。 在电气特性方面，BUK9832-55A-VB具有60V的额定漏源电压（VDS），这意味着它可以承受高达60V的电压而不被损坏。当栅极-源极电压VGS为10V时，其导通电阻RDS(on)仅为0.029Ω，而在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.033Ω，这表示在正常工作条件下，BUK9832-55A-VB能提供非常低的导通电阻，有助于减少电路中的能量损失。 这款器件的连续漏源电流ID在环境温度为25°C时可达到7.0A，随着温度升高，ID会有所下降，但即便在70°C环境下仍能保持5.0A的电流。此外，BUK9832-55A-VB还支持脉冲漏源电流IDM高达40A，短暂的雪崩电流IAS达到15A，以及单脉冲雪崩能量EAS为11mJ，这些参数确保了MOSFET在过载条件下的稳定性。 在热性能方面，BUK9832-55A-VB的典型最大结到壳热阻RthJA为36°C/W，最大值为45°C/W，这意味着在短时间内（例如10秒内），器件可以从结部散发热量的能力较强。然而，在稳态工作条件下，RthJA上升至75°C/W，最大值为90°C/W。同时，器件的结到脚热阻RthJF为17°C/W至20°C/W，这表明BUK9832-55A-VB具有良好的散热能力，有利于在高功率应用中保持稳定的工作状态。 BUK9832-55A-VB的封装形式为SOT223，这是一种常见的表面安装器件封装，便于自动化生产和组装。器件的操作和存储温度范围广泛，从-55°C到175°C，使其适用于各种环境条件。这款MOSFET符合RoHSDirective2002/95/EC，不含有卤素，满足了现代电子产品对环保材料的需求。 BUK9832-55A-VB是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，适用于需要高效、紧凑和环保解决方案的设计。其出色的电气特性和热性能，结合SOT223封装的便利性，使其成为电源管理和开关应用的理想选择。如需更多信息，可访问VBsemi的官方网站或直接联系他们的服务热线400-655-87。