大学模拟电路复习题：半导体器件与二极管、晶体管基础

模拟电路题是一套针对大学电子技术课程期末复习和日常练习的习题集，涵盖了第一章常用半导体器件的内容。这些题目旨在帮助学生巩固和深化对基本概念的理解，以便在实际应用中灵活运用。 1. 填空题部分涉及半导体的性质： - P型半导体中的多子（多数载流子）是空穴，N型半导体的少子（少数载流子）是自由电子。 - PN结在正偏置时导通，反偏置时呈现绝缘特性，这是由于外部电场影响下的载流子扩散。 - 耗尽层在正向偏置时变薄，反向偏置时变宽。 - 多子浓度主要由掺杂浓度决定，少子浓度则受温度影响较大。 - 反向电流主要由少数载流子（通常是少数电子）组成，与外部电场无关。 - 击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 - PN结存在两种电容，分别是动态电容（速度快，小容量）和分布电容（速度慢，大容量）。 - 理想二极管在正偏时相当于短路，反偏时截止，结电阻无限大。 - 温度上升会降低二极管的导通电压，增大反向饱和电流。 - 三极管放大状态下，发射结正偏，集电结反偏。 - 三极管是电流控制元件，集电极电流与基极电流成比例。 - 不同类型的MOS管（N沟道增强型）根据漏源电压和沟道的存在与否分类。 - 场效应管分为结型和绝缘栅型，通过栅极电压控制导电性。 - 耗尽型N沟道MOS管的导电载流子是电子，UGS为开启电压，P沟道的UGS为正值。 2. 单项选择题考察具体知识点： - P型半导体通过掺入三价元素获得。 - 掺入五价元素的本征半导体形成的是N型半导体，多数载流子是电子。 通过解答这些题目，学生可以加深对半导体器件（如二极管、PN结、三极管和场效应管）的物理特性和工作原理的理解，同时也能提高他们的计算能力和应用问题的能力。这组习题适合用于检验和提升模拟电路基础理论知识，对于准备期末考试或日常学习都是非常有价值的参考资料。