MoSi2影响再结晶碳化硅复合材料的结构与电阻率研究

"MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响 (2011年)" 本文是关于材料科学的一篇论文，研究了MoSi2添加到再结晶碳化硅(R-SiC)中对材料微观结构和体积电阻率的影响。在实验中，研究人员首先将不同比例的MoSi2加入到一定粒度分布的SiC粉末中，然后在2300℃的高温下进行烧结，制备出MoSi2/R-SiC复合材料。通过SEM（扫描电子显微镜）、XRD（X射线衍射）、力学性能测试和阻抗分析仪等多种实验手段，对复合材料的微观结构、成分、力学性能和电学性能进行了深入研究。 实验结果显示，烧结后得到的复合材料中，SiC保持为六方晶型的6H结构。而MoSi2在高温环境下经历了一系列的化学反应，转变为六方晶型的Mo4.8Si3C0.6。这种转变的原因在于，高温下液态的MoSi2逐渐失去了硅元素，并与SiC发生反应，形成了含硅量较低的硅钼炭化合物。这种化合物主要以涂层的形式包裹在SiC颗粒的表面。随着MoSi2添加量的增加，涂层厚度也随之增加。当添加量超过10%时，部分Mo4.8Si3C0.6开始填充到SiC颗粒间的空隙中。 复合材料的物理性能方面，随着MoSi2添加量的增加，材料的密度和表观气孔率呈现上升趋势。尽管力学性能的变化并不显著，但体积电阻率却显著降低。这表明MoSi2的添加对电导率产生了积极影响。作者还对材料的导电机理进行了初步探讨，但具体的机理并未在此摘要中详细阐述。 关键词涉及到碳化硅(SiC)、MoSi2、力学性能以及体积电阻率，这四个关键点揭示了研究的核心内容。这篇论文对于理解MoSi2与SiC复合材料的性质，特别是对于提高电性能的应用，具有重要的理论和实践价值。中图分类号和文献标识码(A)则表明这是属于工程技术领域的学术研究成果。