FM1808铁电非易失性存储器：高速、高耐久、SRAM&EEPROM兼容

"FM1608是一款并行铁电存储器，中文参考资料指出它具有SRAM和EEPROM的兼容性。这款64K位存储器具有8,192*8位的结构容量，可承受超过1万亿次的读写操作，并能在断电后保持数据长达10年。它无需等待时间即可写入数据，采用先进的铁电制造工艺，避免了电池维护的问题，同时提供高可靠性的单片集成电路解决方案。FM1608拥有出色的耐潮湿、冲击和振动性能，以及抗负脉冲能力。它兼容JEDEC的32Kx8 SRAM和EEPROM引脚配置，具有70ns的访问时间和130ns的循环时间，运行电流为25mA，待机电流仅为20μA，适用于工业标准的温度范围(-40°C to +85°C)。该设备采用28-pin SOIC或DIP封装。" FM1608是基于铁电技术的非易失性随机存储器(FRAM)，它的主要特点是结合了SRAM的高速读写性能和EEPROM的非易失性。与传统的BBSRAM模块相比，FM1608不涉及复杂的系统设计，也没有数据可靠性问题，因为它在断电后仍能保持数据长达10年。这种存储器的写入操作非常迅速，擦写寿命极长，使其在需要频繁且快速更新的非易失性存储应用中具有显著优势。 在操作上，FM1608与普通的RAM器件类似，拥有最小的读写周期，确保了高效的数据处理。其非易失性得益于铁电存储器制造工艺，不同于需要电池备份的解决方案，FM1608提供快速写入功能而没有额外的维护需求。此外，其表面贴装封装设计适应了现代电子产品的制造需求，能够在广泛的工业温度范围内稳定工作。 在管脚配置方面，FM1608有13位地址线(A0-A12)用于选择内存中的特定字节，8位双向数据总线(DQ0-7)进行数据交换，芯片使能(/CE)和输出使能(/OE)分别用于控制芯片的选通和数据输出。当/CE为低电平时，芯片被选中，地址被锁存，而在/OE为低电平时，输出缓冲区允许数据输出。这些特性使得FM1608成为需要快速、频繁字节写操作的非易失性应用场景的理想选择。