DMN2170U-7-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格与应用

"DMN2170U-7-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel场效应MOS管，采用SOT23封装，适用于20V工作电压，具有低RDS(ON)特性，典型值在VGS=4.5V时为24mΩ，VGS=8V时为42mΩ。该器件符合RoHS标准，适用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。" DMN2170U-7-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点是采用SOT23小型封装，适合空间有限的应用。这款MOSFET设计为TrenchFET，利用沟槽结构来提高性能和效率，降低了导通电阻（RDS(ON)），这使得在低电压下也能实现高效的开关操作。在VGS=4.5V时，RDS(ON)仅为28mΩ，而在VGS=8V时，这一值为42mΩ，这些数值在同类产品中表现出色。 该器件的工作电压范围为VDS=20V，能承受的最大瞬态脉冲电流（IDM）为20A，连续漏源电流（ID）在不同温度下有所不同，例如在TJ=150°C时为6A，而在TJ=70°C时为5.1A。此外，内置的源漏二极管允许连续源漏电流（IS）达到1.75A，不过在特定温度下，如TJ=25°C时为1.04A，TJ=70°C时为0.8A。 DMN2170U-7-VB的门极源极电压（VGS）的最大绝对值为±12V。在额定条件下的最大功率耗散（PD）为2.1W，在TJ=70°C时降低至1.3W。器件的热特性表明，其最大结温及储存温度范围为-55°C到150°C，确保了在广泛的工作环境下稳定运行。 该MOSFET已通过100%Rg测试，符合RoHS指令2002/95/EC的要求，且不含卤素，满足环保标准。由于其小尺寸和高性能，它特别适合于需要高效电源管理的便携式设备，如DC/DC转换器和便携式电子产品的负载开关。 DMN2170U-7-VB是设计者在寻求紧凑、低功耗解决方案时的一个理想选择，尤其在需要高开关速度和低静态功耗的电路中。其优秀的电气特性和符合环保标准的设计，使其成为现代电子设备中不可或缺的元件之一。