英飞凌600V CoolMOS™ C7 MOSFET技术规格手册

"IPA60R099C7是一款由英飞凌科技（INFINEON）制造的600V CoolMOS™ C7系列功率MOSFET，该器件采用了超级结（Superjunction）技术，具有革命性的设计。这款芯片适用于硬开关和软开关应用，如功率因数校正（PFC）和高性能LLC转换器。" 英飞凌的IPA60R099C7是一款基于金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的功率器件，其特色在于它的超结结构，这种设计显著提高了高压功率MOSFET的性能。600V CoolMOS™ C7系列是首款RDS(on)*A值低于1欧姆*平方毫米的技术，这在业界堪称领先。 该MOSFET的特点包括： 1. **适用性**：IPA60R099C7可广泛应用于硬开关和软开关场景，特别适合于电力电子设备中的功率因数校正电路和高效率LLC谐振转换器。 2. **增强的MOSFET dv/dt耐受性**：其dv/dt抗扰度提高到120V/ns，这意味着它能承受更高的电压变化速率，从而在快速开关操作中保持稳定。 3. **高效性能**：得益于最佳的FOM（figure of merit）指标，如RDS(on)*Eoss和RDS(on)*Qg，这款MOSFET的效率得到显著提升。 4. **封装优化的RDS(on)**：每封装的导通电阻极低，提供了更优秀的功率转换效率。 5. **工业级应用的合格认证**：IPA60R099C7符合JEDEC（J-STD-20和JESD22）标准，适用于各种工业环境。 这些特性为使用者带来了以下优势： 1. **更高的系统效率**：由于较低的RDS(on)，在工作时损耗更小，整个系统的能效得以提升。 2. **更好的稳定性**：增强的dv/dt耐受性确保了在高速开关条件下的可靠工作。 3. **更紧凑的设计**：优秀的FOM指标允许在设计中使用更小的元器件，减小了体积和重量。 4. **可靠的工业应用**：通过工业级认证，IPA60R099C7可在严苛环境下稳定运行。 5. **成本效益**：优化的RDS(on)和高效性能减少了散热需求，降低了整体系统成本。 这款600V CoolMOS™ C7功率晶体管的TO-220 FP封装设计考虑了散热效率和安装便捷性，使其成为高密度电源设计的理想选择。结合英飞凌在超级结MOSFET技术上的积累和创新，IPA60R099C7为功率转换领域提供了一种高效、可靠的解决方案。