FDS89161LZ-VB: 2通道100V N沟道SOP8封装高频MOSFET

FDS89161LZ-VB是一种高性能的双N沟道SOP8封装MOSFET，由TrenchFET®技术制成，具有环保特性，符合IEC61249-2-21标准，旨在满足高频率应用的需求。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **特性**： - **无卤素设计**：符合IEC61249-2-21标准，确保在电子设备中的安全环保。 - **沟槽型功率MOSFET**：采用先进的沟槽结构，提高了效率和热性能。 - **严格的测试**：100%进行UISTested，确保了元件的质量和可靠性。 2. **应用领域**： - **高频升压转换器**：适合于需要高效、快速响应的电源管理应用。 - **LCD电视背光驱动**：因其低导通电阻和高开关速度，适用于提供稳定的电流供应。 3. **规格参数**： - **VDS（漏源电压）**：100V，保证了设备在高压环境下的工作能力。 - **RDS(on)**：在VGS=10V时为0.063Ω，表现出良好的导电性能。 - **ID（持续集电极电流）**：室温下，典型值为5.8A，不同温度下的限制有所不同。 - **Qg（寄生电容）**：在VGS=6V时约为9nC，对电路的稳定性有影响。 - **脉冲电流限制**（IDM）：20A，防止过载保护。 - **其他参数如IS（持续源漏电流）、IAS（单次雪崩电流）和EAS（单次雪崩能量）也有详细规定，确保了元件的安全性。 4. **热性能**： - **最大功率耗散**：在25°C时，连续功率为5W，注意在高温下会有降级。 - **散热考虑**：提到了在不同温度下的热阻值，例如25°C时，从2.5W到1.6W不等。 5. **温度范围**： - **操作结温**（TJ）：-55°C至150°C，涵盖宽广的工作条件。 - **存储温度**（Tstg）：同样在-55°C至150°C，确保长时间稳定储存。 6. **安全等级**： - 提供了各个参数的极限值，以及特定温度下的工作限制，保证了元件在各种工况下的可靠使用。 FDS89161LZ-VB是一款针对高效率和高频率应用设计的MOSFET，其卓越的性能、严格的测试和广泛的温度适应性使其成为电子设计者构建现代电路的理想选择。在实际应用中，务必参考产品手册以确保正确使用并避免超出其规格范围导致的损坏。