基于InP的可调DBR激光发射器用于WDM-PON系统

0 下载量 99 浏览量 更新于2024-08-27 收藏 1.47MB PDF 举报
"用于WDM-PON的电吸收调制的广泛可调DBR激光发射器" DBR激光发射器是一种常用的激光器件,广泛应用于光纤通信系统中,特别是在WDM-PON(Wavelength Division Multiplexing Passive Optical Network)系统中。DBR激光发射器的特点是可以实现宽范围的波长调整,使得其在WDM-PON系统中具有很高的灵活性和可扩展性。 在这篇论文中,作者提出了一个基于InP材料的分布式布拉格反射镜(DBR)激光发射器,具有宽的波长调整范围和高的芯片输出功率,适合WDM-PON应用。该激光发射器的设计基于butt-jointing InGaAsP材料,具有1.45μm的发射波长,通过调整DBR电流,可以实现13nm的波长调整范围。同时,通过改变芯片温度,可以进一步扩大调整范围到16nm。 此外,该激光发射器还集成了半导体光放大器(SOA),实现了最高30mW的芯片输出功率。电吸收调制器(EAM)也被集成到设备中,使用选择性区域生长(SAG)技术。EAM的3dB小信号调制带宽超过13G。 该论文的贡献在于提出了一种高性能的DBR激光发射器,具有宽的波长调整范围和高的芯片输出功率,适合WDM-PON应用。该研究结果将有助于推动WDM-PON技术的发展和应用。 知识点: 1. DBR激光发射器是一种常用的激光器件,广泛应用于光纤通信系统中。 2. DBR激光发射器的特点是可以实现宽范围的波长调整,使得其在WDM-PON系统中具有很高的灵活性和可扩展性。 3. InP材料是一种常用的半导体材料,广泛应用于光电子器件中。 4. butt-jointing技术是一种常用的半导体器件制造技术,用于连接不同的半导体材料。 5. 电吸收调制器(EAM)是一种常用的光调制器件,广泛应用于光纤通信系统中。 6. 选择性区域生长(SAG)技术是一种常用的半导体器件制造技术,用于制造复杂的半导体器件。 7. WDM-PON是一种常用的光纤通信技术,具有很高的带宽和可扩展性。 8. 半导体光放大器(SOA)是一种常用的光电子器件,广泛应用于光纤通信系统中。 这篇论文提出了一个高性能的DBR激光发射器,具有宽的波长调整范围和高的芯片输出功率,适合WDM-PON应用。该研究结果将有助于推动WDM-PON技术的发展和应用。