2SJ185-VB P-Channel沟道MOSFET参数介绍与应用说明
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更新于2024-08-03
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2SJ185-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
概述:
2SJ185-VB是一款P-Channel沟道MOSFET晶体管,封装在SOT23封装中。该器件具有低导通电阻、高速开关速度和低门控电压等特点,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电池充电器等领域。
参数介绍:
* 漏电流:-60V
* 导通电阻(RDS(on)):3000mΩ@VGS=10V,2000mΩ@VGS=20V
* 门控电压(VGS(th)):-1.87V
* 连续漏电流(ID):-0.5A
* 脉冲漏电流(IDM):-1.5A
* 功率损耗(PD):460mW
* 最高工作温度(TJ):150°C
* 存储温度范围(Tstg):-55°C to 150°C
应用说明:
* 高频开关电源:2SJ185-VB的高速开关速度和低导通电阻使其非常适合高频开关电源应用。
* DC-DC转换器:该器件的高速开关速度和低导通电阻使其适合DC-DC转换器应用。
* 电池充电器:2SJ185-VB的低门控电压和高速开关速度使其适合电池充电器应用。
注意事项:
* 请注意该器件的最高工作温度和存储温度范围,以免器件损坏。
* 在使用该器件时,请确保输入电压和输出电流在安全范围内,以免器件损坏。
技术特点:
* Halogen-free:该器件符合IEC61249-2-21标准,免于含卤素污染。
* TrenchFET®PowerMOSFET:该器件采用TrenchFET®PowerMOSFET结构,具有高速开关速度和低导通电阻。
* High-Side Switching:该器件适合高侧开关应用,具有高速开关速度和低导通电阻。
* LowOn-Resistance:该器件的导通电阻非常低,仅为3Ω。
* LowThreshold:该器件的门控电压非常低,仅为-2V。
* Fast Switching Speed:该器件的高速开关速度仅为20ns。
* Low Input Capacitance:该器件的输入电容仅为20pF。
2SJ185-VB是一款功能强大、性能优异的P-Channel沟道MOSFET晶体管,广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电池充电器等领域。
2024-03-26 上传
2024-03-26 上传
2024-03-26 上传
2024-03-29 上传
2024-03-26 上传
2024-03-26 上传
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2024-03-26 上传
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