2SJ185-VB P-Channel沟道MOSFET参数介绍与应用说明

2SJ185-VB一款P-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 概述： 2SJ185-VB是一款P-Channel沟道MOSFET晶体管，封装在SOT23封装中。该器件具有低导通电阻、高速开关速度和低门控电压等特点，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电池充电器等领域。 参数介绍： * 漏电流：-60V * 导通电阻（RDS(on)）：3000mΩ@VGS=10V，2000mΩ@VGS=20V * 门控电压（VGS(th)）：-1.87V * 连续漏电流（ID）：-0.5A * 脉冲漏电流（IDM）：-1.5A * 功率损耗（PD）：460mW * 最高工作温度（TJ）：150°C * 存储温度范围（Tstg）：-55°C to 150°C 应用说明： * 高频开关电源：2SJ185-VB的高速开关速度和低导通电阻使其非常适合高频开关电源应用。 * DC-DC转换器：该器件的高速开关速度和低导通电阻使其适合DC-DC转换器应用。 * 电池充电器：2SJ185-VB的低门控电压和高速开关速度使其适合电池充电器应用。 注意事项： * 请注意该器件的最高工作温度和存储温度范围，以免器件损坏。 * 在使用该器件时，请确保输入电压和输出电流在安全范围内，以免器件损坏。 技术特点： * Halogen-free：该器件符合IEC61249-2-21标准，免于含卤素污染。 * TrenchFET®PowerMOSFET：该器件采用TrenchFET®PowerMOSFET结构，具有高速开关速度和低导通电阻。 * High-Side Switching：该器件适合高侧开关应用，具有高速开关速度和低导通电阻。 * LowOn-Resistance：该器件的导通电阻非常低，仅为3Ω。 * LowThreshold：该器件的门控电压非常低，仅为-2V。 * Fast Switching Speed：该器件的高速开关速度仅为20ns。 * Low Input Capacitance：该器件的输入电容仅为20pF。 2SJ185-VB是一款功能强大、性能优异的P-Channel沟道MOSFET晶体管，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电池充电器等领域。