FQD19N10LTM-VB: 100V N沟道TO252封装高性能MOS管
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更新于2024-08-03
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FQD19N10LTM-VB是一种高性能的N沟道Trench FET®功率MOSFET,它采用TO252封装,专为在高电压和高温环境下提供高效能应用设计。这款MOSFET的主要特点包括:
1. **技术特性**:
- Trench FET结构:利用沟槽工艺,提供更小的栅极截面积,降低栅极电荷,从而改善开关速度和效率。
- **耐压与工作温度**:额定的 Drain-Source Voltage (VDS) 为100V,允许在175°C的结温下持续工作。同时,其 Gate-Source Voltage (VGS) 范围为±20V。
- **电流能力**:在25°C时,连续 Drain Current (ID) 在TJ=175°C下的极限是13A,而脉冲 Drain Current (IDM) 达到40A。此外,还提供了限制的 Continuous Source Current (IS) 和 Avalanche Current (IAS)。
- **能量处理能力**:单脉冲雪崩能量 EAS 在0.1mH电感下为18mJ,确保了器件在过载条件下的安全性。
2. **安全标准**:该产品符合RoHS指令2002/95/EC,表明其在环保材料和有害物质方面达到了严格的欧盟标准。
3. **应用领域**:
- 主要适用于初级侧开关,尤其适合那些对开关性能、功率密度和散热要求高的电路设计,如电源管理、电机控制等。
4. **热性能**:
- 提供了 Junction-to-Ambient (热阻) 和 Junction-to-Case (Drain) 的典型和最大值,帮助用户计算热管理系统的设计。
- 最大 Power Dissipation (PD) 在25°C下为96W,但在长时间操作下可能限制更高。
5. **温度范围**:
- 该MOSFET的操作和存储温度范围从-55°C至175°C,确保了宽广的工作环境适应性。
FQD19N10LTM-VB是一款具备高性能、可靠性和宽温范围的N沟道MOSFET,适用于对电力转换效率要求较高的电子设备,特别是那些需要承受高电压、高温和频繁开关的场合。在选择和使用时,务必参考产品数据表中的安全工作区(SOA)曲线,确保在限定条件下操作,以延长器件寿命并避免损坏。
2024-01-03 上传
2023-12-20 上传
2023-12-19 上传
2023-12-18 上传
2023-12-18 上传
2024-01-05 上传
2024-01-03 上传
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