FQD19N10LTM-VB: 100V N沟道TO252封装高性能MOS管

FQD19N10LTM-VB是一种高性能的N沟道Trench FET®功率MOSFET，它采用TO252封装，专为在高电压和高温环境下提供高效能应用设计。这款MOSFET的主要特点包括： 1. **技术特性**： - Trench FET结构：利用沟槽工艺，提供更小的栅极截面积，降低栅极电荷，从而改善开关速度和效率。 - **耐压与工作温度**：额定的 Drain-Source Voltage (VDS) 为100V，允许在175°C的结温下持续工作。同时，其 Gate-Source Voltage (VGS) 范围为±20V。 - **电流能力**：在25°C时，连续 Drain Current (ID) 在TJ=175°C下的极限是13A，而脉冲 Drain Current (IDM) 达到40A。此外，还提供了限制的 Continuous Source Current (IS) 和 Avalanche Current (IAS)。 - **能量处理能力**：单脉冲雪崩能量 EAS 在0.1mH电感下为18mJ，确保了器件在过载条件下的安全性。 2. **安全标准**：该产品符合RoHS指令2002/95/EC，表明其在环保材料和有害物质方面达到了严格的欧盟标准。 3. **应用领域**： - 主要适用于初级侧开关，尤其适合那些对开关性能、功率密度和散热要求高的电路设计，如电源管理、电机控制等。 4. **热性能**： - 提供了 Junction-to-Ambient (热阻) 和 Junction-to-Case (Drain) 的典型和最大值，帮助用户计算热管理系统的设计。 - 最大 Power Dissipation (PD) 在25°C下为96W，但在长时间操作下可能限制更高。 5. **温度范围**： - 该MOSFET的操作和存储温度范围从-55°C至175°C，确保了宽广的工作环境适应性。 FQD19N10LTM-VB是一款具备高性能、可靠性和宽温范围的N沟道MOSFET，适用于对电力转换效率要求较高的电子设备，特别是那些需要承受高电压、高温和频繁开关的场合。在选择和使用时，务必参考产品数据表中的安全工作区(SOA)曲线，确保在限定条件下操作，以延长器件寿命并避免损坏。