FDC6301N-VB-MOSFET产品应用与参数解析：20V双N沟道MOSFET详解

FDC6301N-VB-MOSFET产品应用与参数解析 FDC6301N是一种双N沟道MOSFET，具有20V的漏源电压和4.8A的连续漏电流。该器件的RDS(on)为22mΩ@4.5V和28mΩ@2.5V，阈值电压为1.2~2.2V。该器件封装在SOT23-6封装中。 在应用中，FDC6301N可以用于各种电源管理、电机控制、音频设备等领域。由于其高电流承载能力和低RDS(on)，使其非常适合需要高电流和低损耗的应用场景。 在参数方面，FDC6301N具有以下特点： * 漏源电压（VDS）：20V * 连续漏电流（ID）：4.8A * RDS(on)：22mΩ@4.5V和28mΩ@2.5V * 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V * 封装：SOT23-6 在最大额定值方面，FDC6301N具有以下特点： * 漏源电压（VDS）：20V * 连续漏电流（ID）：4.8A * 脉冲漏电流（IDM）：18A * 连续源漏二极管电流（IS）：1.17A * 最大功率损耗（PD）：1.6W * 工作结温范围（TJ）：-55°C to 150°C * 存储温度范围（Tstg）：-55°C to 150°C 在热设计方面，FDC6301N具有以下特点： * 最大结温至环境温度热阻（RthJA）：93°C/W * 最大结温至脚热阻（RthJC）：110°C/W 在焊接推荐方面，FDC6301N具有以下特点： * 焊接峰值温度：260°C FDC6301N是一种功能强大且高效的MOSFET器件，非常适合各种需要高电流和低损耗的应用场景。