NTD18N06LT4G-VB: 175°C耐高温N沟道TO252封装场效应晶体管

NTD18N06LT4G-VB是一款高性能的TrenchFET® PowerMOSFET，它属于N沟道设计，适用于对低栅极到源极电压（VGS）要求严格的电路。这款场效应管采用TO252封装，这是一种常见的散热器型封装，适合于高功率应用中提供良好的热管理。 该器件的主要特性包括： 1. **耐高温**：NTD18N06LT4G-VB能够承受高达175°C的结温（TJ），这使得它能够在高温环境下稳定工作。 2. **低阻态导通电阻**：在VGS=10V时，其静态阻抗rDS(on)为0.025Ω，而在VGS=4.5V下为0.030Ω，表现出良好的开关性能和低损耗。 3. **电流能力**：连续 drain current (ID) 在标准条件下（TJ=25°C）可达到60A，且在100°C时可承受100A的脉冲电流（IDM）。单次雪崩电流（IAS）和最大反向漏电流（IS）也有所限制。 4. **能量吸收**：在指定的条件（如Duty Cycle ≤ 1% 和 L=0.1mH）下，能承受单次雪崩能量高达20mJ。 5. **功率处理**：在25°C环境温度下，允许的最大功率耗散为100W，而长期和瞬态的热阻抗分别为RthJA（最大18°C/W，典型18°C/W）和RthJC（最大4°C/W）。 6. **温度范围**：该场效应管的工作温度范围宽广，从-55°C至175°C，满足不同应用场景的需求。存储温度范围也在-55°C至175°C之间。 7. **封装**：TO-252封装设计，其中Drain引脚连接到Tab，便于散热和安装。 8. **符合RoHS**：产品符合RoHS指令，确保了环保要求。 9. **尺寸和应用**：场效应管表面安装在1"x1" FR4板上，但需注意在10秒内不超过10秒的热冲击。 10. **额外信息**：如需进一步支持和服务，可以联系NTD18N06LT4G-VB的产品服务中心，电话号码为400-655-8788，同时提供了详细的datasheet以供查阅。 总结来说，NTD18N06LT4G-VB是一款高效、可靠且适应性强的N沟道MOSFET，适用于电力电子设备，特别是那些需要高温、低损耗和良好散热管理的应用场合。在设计电路时，应充分考虑其规格和工作条件，确保正确选型并确保系统的稳定性与安全性。