SOT23-30V 6.5A N-Channel MOSFET: High-Performance Power Device f...

本文档介绍的是CES2314-VB型号的N-Channel场效应MOS管，它采用SOT23封装，适合于各种高效率应用。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，满足RoHS指令2002/95/EC的要求，体现了对环境友好的制造理念。 2. **沟道技术**：采用了Trench FET®功率MOSFET结构，这种技术提供了更低的漏电（RDS(ON)）和更好的热性能。 3. **电气参数**： - **耐压等级**：Drain-Source Voltage (VDS) 达到30V，保证了在高压条件下稳定工作。 - **最大连续电流**：在VGS = 10V时，ID = 6.5A；随着VGS下降至4.5V，电流仍可达到6.0A。 - **漏极电荷**：Qg典型值在TJ=150°C时分别为4.5nC和3.3nC。 - **脉冲电流限制**：允许的最大脉冲Drain Current (IDM)为25A。 - **安全电流**：源极-漏极二极管电流IS在25°C下限值为1.4A（或0.9A）。 4. **散热能力与功率处理**： - **最大功率耗散**：在25°C时，连续功耗PD可达1.7W，而在70°C时有所下降。 - **温度范围**：工作结温TJ和储存温度Tstg范围为-55℃至150℃，需注意散热要求。 5. **封装形式**：SOT-23封装，占用空间小，适合表面安装，且已测试100%的Rg。 6. **使用注意事项**： - 包装限制可能导致某些参数在特定条件下受限。 - 考虑到热管理，建议在1"x1" FR4板上安装，并确保不超过最大稳态条件下的130°C/W的功率密度。 - 焊接建议峰值温度不超过260°C。 CES2314-VB是一款高效、低阻抗的N-Channel MOSFET，适用于DC/DC转换器等高电压、大电流应用，且注重环保和可靠性。在实际使用中，需充分考虑其电气参数、热性能以及操作温度限制。