三星DDRSDRAM K4H560838E-GCB3：日本一代BGA封装256Mb规格

本文档详细介绍了日本生产的 DDRSDRAM 颗粒 K4H560838E-GCB3 的技术规格和特性，这款内存采用了一代 BGA 封装，适用于256兆字节 (MB) 的 E-die，支持 x4 和 x8 接口。文档版本为 Rev.1.3，发布日期为2005年4月。 首先，DDRSDRAM 是一种双倍数据速率同步动态随机存取存储器，相较于前一代 SDRAM，它在数据传输速度上有了显著提升，通过两次时钟周期读写数据，实现了更高的带宽。256MbE-die 指的是单个芯片中存储容量为256兆比特 (MB)，即32兆字节 (MB) 的内存单元，它被设计成可以组成x4或x8通道的阵列，以适应不同的系统需求。 该内存使用了60球的 Flip Chip Ball Grid Array (FBGA) 封装技术，这是一种直接将芯片焊接到基板上的小型化封装方式，能够提供更紧凑的解决方案，适合高密度应用。这种封装形式有助于减少信号损失和提高散热性能。 文档强调，所有提供的信息仅供参考，不构成任何知识产权许可，且三星电子保留随时更改产品或规格的权利。用户在使用时应遵循三星提供的最新信息，联系附近的三星办事处获取更新或更多关于产品的信息。 此外，文档还指出，三星产品并非用于生命支持、医疗设备等关键领域，也不适用于可能导致人身伤害或生命损失的情况，或者军事和国防应用，以及可能适用特殊条款或规定的政府采购项目。 修订历史记录显示，该256MbE-die经历了从 Rev.1.0 到 Rev.1.3 的更新，这表明三星在不断优化和改进其产品以满足市场需求和技术发展。 K4H560838E-GCB3 是一款重要的 DDRSDRAM 内存颗粒，对于了解其技术细节、规格变化以及应用场景的工程师和技术人员来说，这篇文档提供了宝贵的信息。在设计和选择内存组件时，务必参考最新的文档以确保兼容性和性能。