FDN5618P-NL-VB：SOT23封装高性能P-Channel MOSFET

"FDN5618P-NL-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的P-Channel场效应MOS管。这款MOS管具有隔离包装，能承受高电压隔离，达到2.5kVRMS。其漏极到源极的电压(VDS)为-60V，连续漏极电流(ISD)可达到-5.2A，且在VGS=10V和20V时，RDS(ON)分别为40mΩ和5mΩ。阈值电压(Vth)为-2V，可在高达175°C的温度下工作。此外，该器件具备动态dV/dt评级和低热阻特性，并提供无铅选项。" FDN5618P-NL-VB是P-Channel沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，主要用于控制电路中的电流流动。SOT23封装设计使其小巧紧凑，适合在空间有限的电路板上使用。其高电压隔离能力（2.5kVRMS）确保了安全的操作，而4.8mm的引脚到引脚的爬电距离保证了电气绝缘性能。 该MOSFET的最大工作温度为175°C，这意味着它可以在高温环境中稳定工作。动态dV/dt评级表明它可以处理快速的电压变化，这在高速开关应用中尤为重要。低热阻意味着在高功率应用中，它能更有效地散发热量，从而提高系统效率并降低过热风险。 在电气参数方面，VGS的最大值为±20V，这意味着在规定条件下，源极和栅极之间的电压可以在这个范围内变化。在VGS=-10V时，RDS(ON)为40mΩ，这意味着在导通状态下，漏极到源极的电阻较低，有利于减少功率损耗。同时，Qg（总栅极电荷）的最大值为12nC，Qgs（栅极到源极电荷）为3.8nC，Qgd（栅极到漏极电荷）为5.1nC，这些参数影响开关速度和开关损耗。 IDM是脉冲漏极电流的上限，为-5.2A，线性降额因子为0.18W/°C，意味着随着温度的升高，允许的最大功率损耗会线性下降。单脉冲雪崩能量(EAS)的最大值为120mJ，重复雪崩电流(IAR)为-5.2A，重复雪崩能量(EAR)为2.7mJ，这些都是防止器件在过载情况下发生雪崩击穿的保护参数。最大功率耗散(PD)在25°C时为27W，意味着这是它在环境温度下可安全运行的最大功率。 FDN5618P-NL-VB是一款适用于需要高隔离、低阻抗、良好热性能以及小尺寸封装的P-Channel MOSFET，常见应用包括电源管理、驱动电路、逻辑切换和其他需要精确电流控制的电子设备。