2SJ179-VB P沟道SOT89-3 MOSFET：特性、应用与极限参数

本文档详细介绍了2SJ179-VB这款由VBsemi生产的P沟道SOT89-3封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件是一款低漏电流、高效率的开关元件，特别适合在各种高电压、大电流的应用场景中使用，如负载开关和电池开关。 该MOSFET的主要特点包括： 1. **环保设计**：符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，对环境友好。 2. **沟槽型MOSFET**：采用TrenchFET技术，能提供更低的通态电阻和更优秀的散热性能。 3. **高品质测试**：100%栅极电阻测试，确保了产品的可靠性和稳定性。 4. **规格参数**： - **最大 Drain-Source（D-S）电压**：VDS = -30V，确保了器件在高电压下的安全工作。 - **RDS(on)（漏源阻抗）**：在VGS = -10V时为0.056Ω，表明在开关状态下的低导通损耗。 - **最大连续导通电流**（ID）： - 在室温下，ID(TJ=25°C) = -7.6A - 在高温条件下，如70°C，ID下降至-5.8A。 - **最大脉冲电流（IDM）**：-35A，适用于短时间脉冲操作。 - **源-漏二极管电流（IS）**：在25°C下，IS(TJ=25°C) = -3.5A，显示了反向保护能力。 - **最大功率损耗**：在25°C下，PD = 6.5W，随着温度升高，功率损耗逐渐减小。 注意事项： - 该MOSFET是表面安装在1"x1" FR4板上。 - 温度条件下的电流限制：10秒内热态最大温度为95°C/W。 - 包装限制了某些参数的性能表现。 在使用时需要注意绝对最大额定值，以及操作和存储温度范围，即-55°C至150°C。此外，还提供了热阻指标，如RthJA（最大结-环境热阻），在10秒内典型值为40°C/W，最大值为50°C/W，确保了良好的散热管理。 总结，2SJ179-VB是一款针对特定应用场合设计的高性能P沟道MOSFET，它的性能参数、结构特性以及工作温度范围都是用户在选择和设计电路时的重要参考依据。在实际应用中，应根据具体的设计需求评估其是否满足负载开关或电池开关等应用场景的要求。