创建IBIS模型教程：从数据获取到模型验证

本文档详细介绍了如何创建集成电路接口标准（IC Interconnect Bus Specification，简称IBIS）模型，特别是关注于CSS圆形旋转效果和封装模型的构建。该文档由上海索弗科技有限公司的Daniel Zhong编写，旨在帮助读者逐步学习IBIS模型的生成。 **1. IBIS模型概述** IBIS模型是一种用于模拟高速数字信号传输中IC接口行为的标准模型，它主要描述了IC的输入/输出特性，包括I/V（电流-电压）曲线和V/t（电压-时间）曲线。这种模型主要用于信号完整性分析，无需复杂的电路仿真，简化了设计流程。 **2. 创建IBIS模型的流程** 创建IBIS模型通常包括以下步骤： - 了解模型基本信息 - 确定数据获取方式 - 确定模型的“拐角”（即模型的关键工作条件） - 获取模型的其他相关信息 **3. 获取模型数据** - **核心组件**：IBIS模型的关键部分是缓冲器模型，它包括电源嵌位二极管、地嵌位二极管、上拉设备和下拉设备的I/V曲线。 - **封装寄生参数**：这些参数影响信号在封装内的传播，可以通过Cadence APD/SIP SI等工具提取。 - **硅片电容**：影响V/t曲线，但不包含封装寄生参数。 - **S2IBIS3工具**：用于生成IBIS模型。 - **I/V和V/t曲线**：通过测量或仿真得到，用于描述缓冲器的工作特性。 **4. 数据录入IBIS文件** - **文件头信息**：包含模型的基本信息，如作者、创建日期等。 - **元件**：定义模型的组成部分。 - **模型选择器**：指定模型应用的条件。 - **缓冲器模型**：包括基本参数、特定参数和接收器阈值，其中V/t曲线和[Ramp]关键字的定义是关键。 **5. 验证模型** - **语法校验**：使用IBIS Golden Parser等工具确保文件格式正确。 - **数据目测**：检查I/V和V/t曲线的合理性。 - **仿真对比**：与“黄金波形”和晶体管级模型进行比较，验证模型的准确性。 **封装模型** 封装模型是IBIS模型的重要组成部分，可以从Cadence APD/SIP SI等工具中直接提取。模型名称需与[Package Model]关键字中的名称一致。尽管文档没有详细介绍封装模型的提取过程，但强调了模型验证的重要性，确保模型的可靠性。 总结来说，创建IBIS模型是一个涉及数据收集、模型构建和验证的过程，对于实现有效的信号完整性分析至关重要。这个文档为读者提供了详细的步骤指南，有助于理解并实践IBIS模型的生成。