创建IBIS模型教程:从数据获取到模型验证
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更新于2024-08-08
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本文档详细介绍了如何创建集成电路接口标准(IC Interconnect Bus Specification,简称IBIS)模型,特别是关注于CSS圆形旋转效果和封装模型的构建。该文档由上海索弗科技有限公司的Daniel Zhong编写,旨在帮助读者逐步学习IBIS模型的生成。
**1. IBIS模型概述**
IBIS模型是一种用于模拟高速数字信号传输中IC接口行为的标准模型,它主要描述了IC的输入/输出特性,包括I/V(电流-电压)曲线和V/t(电压-时间)曲线。这种模型主要用于信号完整性分析,无需复杂的电路仿真,简化了设计流程。
**2. 创建IBIS模型的流程**
创建IBIS模型通常包括以下步骤:
- 了解模型基本信息
- 确定数据获取方式
- 确定模型的“拐角”(即模型的关键工作条件)
- 获取模型的其他相关信息
**3. 获取模型数据**
- **核心组件**:IBIS模型的关键部分是缓冲器模型,它包括电源嵌位二极管、地嵌位二极管、上拉设备和下拉设备的I/V曲线。
- **封装寄生参数**:这些参数影响信号在封装内的传播,可以通过Cadence APD/SIP SI等工具提取。
- **硅片电容**:影响V/t曲线,但不包含封装寄生参数。
- **S2IBIS3工具**:用于生成IBIS模型。
- **I/V和V/t曲线**:通过测量或仿真得到,用于描述缓冲器的工作特性。
**4. 数据录入IBIS文件**
- **文件头信息**:包含模型的基本信息,如作者、创建日期等。
- **元件**:定义模型的组成部分。
- **模型选择器**:指定模型应用的条件。
- **缓冲器模型**:包括基本参数、特定参数和接收器阈值,其中V/t曲线和[Ramp]关键字的定义是关键。
**5. 验证模型**
- **语法校验**:使用IBIS Golden Parser等工具确保文件格式正确。
- **数据目测**:检查I/V和V/t曲线的合理性。
- **仿真对比**:与“黄金波形”和晶体管级模型进行比较,验证模型的准确性。
**封装模型**
封装模型是IBIS模型的重要组成部分,可以从Cadence APD/SIP SI等工具中直接提取。模型名称需与[Package Model]关键字中的名称一致。尽管文档没有详细介绍封装模型的提取过程,但强调了模型验证的重要性,确保模型的可靠性。
总结来说,创建IBIS模型是一个涉及数据收集、模型构建和验证的过程,对于实现有效的信号完整性分析至关重要。这个文档为读者提供了详细的步骤指南,有助于理解并实践IBIS模型的生成。
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