2012年TD-LTE-Advanced终端芯片研发攻关项目解析

"2012年战略性新兴产业重大专项50个攻关项目，重点关注高端新型电子信息领域的TD-LTE-Advanced终端芯片核心技术研发。" 在该文档中，提到的关键知识点集中在TD-LTE-Advanced终端芯片的技术研发，这是中国战略性新兴产业的重大专项之一。TD-LTE-Advanced是一种先进的第四代移动通信技术，旨在提升数据传输速度和网络容量，是中国移动通信领域的重要发展方向。 1. **TD-LTE-Advanced终端基带芯片**：研究内容包括芯片架构设计、芯片工艺选择、多核协同工作解决方案、双模设计（TD-LTE-Advanced/TD-SCDMA）、物理层和高层协议栈软件开发、参考设计方案以及测试软件设计。目标是开发出支持3GPP R8、R9、R10标准和国内规范的多模基带芯片，并提供工程样片。 2. **TD-LTE-Advanced终端射频芯片**：研究内容涉及分析系统需求、多模多频段射频芯片架构、基带芯片配合机制，以及实测验证。射频芯片需满足TD-LTE-Advanced系统性能要求，支持3GPP规范，包括可变带宽、载波聚合、多种调制方式、MIMO技术，以及快速信道跨频段切换。 3. **考核指标**：项目完成后，需提供100片多模芯片给终端厂家进行规模试验，并确保研发的芯片满足3GPP R7、R8、R9标准及国内规范的主要指标。基带芯片技术指标包括支持多模、上行4×4 MIMO、下行单/双/多流波束赋形解调等。射频芯片则要求符合TD-LTE-Advanced规范，支持可变带宽、64QAM调制等，同时需有高效能、稳定性和低功耗。 4. **技术优化**：针对基带和射频芯片，项目着重优化性能、稳定性和功耗，以满足商业化应用的需求。 这些关键技术的突破对于推动中国4G通信技术的发展，提升在全球通信市场竞争力具有重要意义。同时，也为后续的5G技术研发奠定了基础。