SiGe-HBT Mextram模型：温度参数提取与改进研究

本文主要探讨了在IMEC0113微米准自对准的SiGe BiCMOS工艺下制造的基区Ge成分二阶分布结构SiGe异质结双极晶体管（SiGe HBT）的特性研究。作者首先在25℃至125℃的宽温范围内对SiGe HBT进行了全面的特性测试，包括Early电压和Gummel图形等，以此为基础，提取了该器件在这一温度范围内的Mextram 504模型参数。 Mextram 504模型是一种先进的双极晶体管模型，特别适用于SiGe HBT，它是在工业标准的Spice2 Gummel2 Poon模型基础上进一步发展而来，被广泛应用于模拟和设计此类高性能器件。然而，针对IMEC0113μm工艺的SiGe HBT，模型参数的准确提取对于确保在不同温度下的模拟仿真精度至关重要。 在研究中，作者提出了一种改进的Mextram 504模型温度参数提取方法，并优化了整个提取流程。他们着重讨论了SiGe HBT雪崩电流随温度变化的现象，发现温度对雪崩电流有显著影响。为此，他们给出了雪崩外延层有效厚度的温度变化经验公式和新的雪崩电流温度变化参数，这些改进显著提升了Mextram模型在不同温度下模拟SiGe HBT的精度。 关键词集中在Mextram模型、IMEC0113μm锗硅工艺、异质结双极晶体管以及参数提取上。文章引用了相关技术分类号TN38611，文献类型为学术论文，并强调了其在信息技术产品特别是射频电路中的应用潜力。 这篇论文的重要性在于它提供了一种更为精确的SiGe HBT模型参数提取方法，这对于优化SiGe技术在高温环境下，如无线通信和卫星直播等领域的性能具有重要意义，为设计工程师们开发出更高效、更稳定的半导体设备提供了理论支持。