ARM芯片NORFLASH烧写教程与实例

"NOR_FLASH_读写指南" NOR FLASH是一种常见的非易失性存储器，数据在断电后仍能保持，常用于嵌入式系统中存储启动程序。其特性之一是支持Execute-In-Place（XIP），允许程序直接在芯片内部执行，不同于需要通过内存映射执行的NAND FLASH。 在读取NOR FLASH时，它的操作类似于RAM，但写入过程较为复杂。写入操作需要遵循特定的指令序列，由NOR FLASH内部的控制单元来执行。NOR FLASH根据最小访问单元分为8位和16位两种类型，有些芯片可以同时支持两种模式，通过配置特定的引脚来选择工作模式。 对于8位的NOR FLASH或工作在8-BIT模式的芯片，每个地址对应一个8位（BYTE）的数据。比如一个4 BYTE容量的8-BIT NOR FLASH，地址0x0对应第一个BYTE，0x1对应第二个BYTE，以此类推。数据线有8根（D7-D0），地址线至少2根（A1-A0）。 对于16位的NOR FLASH或工作在16-BIT模式的设备，每个地址对应一个16位（HALF-WORD）的数据。如果同样有4 BYTE的容量，只需1根地址线（A0），因为一个HALF-WORD包含两个BYTE。地址0x0指向第一个HALF-WORD，0x1指向第二个HALF-WORD。 NOR FLASH的擦除操作通常涉及到更大的区域，如块、页面或整个芯片的擦除。与写入操作一样，擦除也需要遵循特定的命令流程，且擦除操作通常比写入快得多。在进行NOR FLASH编程时，必须注意避免覆盖已写入的数据，因为某些类型的NOR FLASH不支持在已写入位置的擦除和重写。 在实际应用中，编写驱动程序来管理NOR FLASH的读写操作至关重要。这些驱动通常会包含初始化、读取、写入和擦除的函数。在ARM架构的设备上，通常使用MMU（内存管理单元）来映射NOR FLASH到CPU的地址空间，使得可以直接执行存储在其中的代码。 为了确保正确操作NOR FLASH，工程师需要了解所用芯片的具体规格，包括其地址线数量、数据线数量、擦除和写入的命令序列、以及最小和最大擦除单位。此外，了解芯片的错误校验机制（如ECC，Error Correction Code）也很重要，这有助于检测和纠正潜在的数据错误。 在进行NOR FLASH的烧写时，可以使用开源工具或特定的开发环境，如JTAG接口和相关的固件更新工具。这些工具能够提供安全可靠的编程流程，包括验证写入数据的完整性和一致性。 总结来说，NOR FLASH的读写指南主要涵盖了以下几个关键点： 1. NOR FLASH的基本概念和特性，如XIP和支持的不同访问模式。 2. 数据读取和写入的原理，以及地址和数据线的配置。 3. 擦除操作的特性和命令序列。 4. 编写驱动程序来管理NOR FLASH的重要性，包括初始化、读写和擦除操作。 5. 在ARM平台上实现NOR FLASH操作的注意事项，如MMU的使用。 6. 烧写工具和方法，以及验证烧写正确性的步骤。