HM6002 D9553N-609067：超低栅极电荷N沟道功率MOSFET

"该文档是华镁半导体公司（HM Semiconductor Co., Ltd）的产品规格书，详细介绍了D9553N型号的N沟道逻辑级增强模式功率MOSFET。这款MOSFET适用于同步降压转换器应用，具备超低栅极电荷、100%的ΔVds和UIS测试保证、绿色设备选项以及先进的高密度沟槽技术，以实现优秀的RDSON和门电荷特性。其封装形式为TO-252（DPAK），并且符合RoHS和绿色产品要求。" 在【标题】"D9553N-609067.pdf"中，"D9553N"是产品型号，"609067"可能是内部的序列号或特定版本号，用于区分不同的产品批次或修订版本。 【描述】中提到的"BVDSS 60 V ID@VGS=10V,TC=25°C 90 A RDSON(MAX) VGS=10V,ID=30A 6.7 mΩ"，这部分是MOSFET的关键参数。BVDSS表示器件的最大额定漏源电压，这里是60V，表明MOSFET可以承受的最大电压差。ID@VGS=10V, TC=25°C 90 A 表示在栅极电压VGS为10V且环境温度为25°C时，MOSFET的最大连续漏电流为90安培。RDSON(MAX) VGS=10V, ID=30A 6.7 mΩ说明在相同条件下，当漏电流ID为30A时，MOSFET的漏源导通电阻RDSON最大值为6.7毫欧，这直接影响到器件的开关性能和功耗。 【标签】"华镁MOS"表明这是华镁品牌的一款MOSFET产品。 【部分内容】提供了更详细的信息，如器件的等效电路图、封装类型（TO-252，DPAK）、卷盘尺寸（325mm）、带宽（16mm）以及每卷的数量（2500个）。此外，还列出了热特性参数，如结壳热阻RθJC为1.33℃/W，这个参数用于计算器件在工作时从芯片到外壳的热量传递效率。BVDSS再次被提及，确认其最大额定电压为60V。 D9553N是一款高性能的功率MOSFET，适合于电源转换应用，特别是同步降压转换器，具有出色的电气特性和热管理能力。其设计采用了先进的高密度沟槽技术，降低了栅极电荷和漏源导通电阻，从而提高开关速度和效率，并且符合环保标准。用户可以根据提供的封装信息和热特性进行设计选择和散热方案规划。