TOSHIBA 4Mbit CMOS SRAM TC55NEM216AFTN: 高速低功耗内存解决方案

TOSHIBA-TC55NEM216AFTN55是一款由东芝公司生产的高性能4,194,304位静态随机访问存储器(SRAM)，以262,144个16位字的形式组织。这款内存芯片采用先进的CMOS硅栅极工艺制造，能在单个5V±10%电源电压下运行，确保了高速度和低功耗性能。在典型情况下，它在每兆赫兹(MHz)3毫安(mA)的工作电流下工作，具有最低的存取周期时间仅为55纳秒(ns)。 为了实现高效能，该器件配置了两个控制输入引脚。芯片使能(CE)引脚用于选择设备并控制数据保留，而输出使能(OE)引脚则提供了快速的内存访问。通过字节控制引脚（LB和UB），用户可以实现对低字节和高字节的独立访问，这使得TC55NEM216AFTN在处理需要频繁读写操作且对速度敏感的微处理器系统中表现出色。 值得注意的是，TC55NEM216AFTN设计有低功耗模式，在芯片使能为高电平时，可以在1微安(μA)的典型待机电流下自动进入，这对于电池供电或能源效率要求高的应用非常有利。此外，这款内存组件还具备宽泛的操作温度范围，可在极端环境下稳定工作，其保证的温度极限是-40°C到+85°C，这意味着它适用于各种苛刻条件下的工业和嵌入式系统设计。 TOSHIBA-TC55NEM216AFTN55以其高性能、低功耗特性、灵活的控制选项和宽广的温度适应性，成为现代电子系统中不可或缺的内存解决方案，特别是在那些对速度、节能和可靠性有高要求的应用中。