FDN360P-NL-VB: 30V P沟道SOT23封装MOSFET特性与应用

本文档介绍了一款名为FDN360P-NL-VB的P沟道SOT23封装MOSFET，由TrenchFET® PowerMOSFET技术制造。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **电压参数**： - Drain-Source Voltage (VDS): 最大工作电压为-30V，确保了在安全范围内进行高电压处理。 - Gate-Source Voltage (VGS): 具有±20V的宽广工作范围，适用于不同电路设计中的栅极控制。 2. **电流特性**： - Continuous Drain Current (ID): 在25°C下，典型值为-5.6A；在70°C时，有所下降。 - Pulsed Drain Current (IDM) for short duration pulses: 长度为100微秒时的最大脉冲电流限制为-18A。 - Continuous Source-Drain Diode Current (IS): 在25°C下，最大值为-2.1A，对保护电路起关键作用。 3. **功率管理**： - Power Dissipation: 在25°C时，最大连续功耗为2.5W，而当温度升至70°C，功率限制会相应降低。 - Thermal Resistance: 提供了不同温度下的热阻值，如从25°C到150°C的范围，对于散热设计至关重要。 4. **应用领域**： - FDN360P-NL-VB适用于移动计算、负载开关、笔记本适配器开关以及DC/DC转换器等电子设备中，特别是在需要低功耗和紧凑型封装的场合。 5. **封装形式**： - 采用SOT-23封装，这种小型化设计有利于集成在电路板上，节省空间。 6. **测试标准**： - 100% Rg Tested，表明该器件已经过严格的电阻测试，确保了其性能的一致性和可靠性。 7. **注意事项**： - 数据基于环境温度25°C，表面安装在1"x1" FR4 板上，热时间常数t=5s，并指出最大稳态条件下的结温为166°C/W。 FDN360P-NL-VB是一款专为移动设备设计的高性能P沟道MOSFET，具有良好的电流控制能力和低功耗特性，适用于各种需要高效能和紧凑尺寸的电子设备。设计者在选择和使用时，应参考这些规格来确保设备的稳定运行和性能。