DMG6968UQ-7-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET技术规格

"DMG6968UQ-7-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管。它具备低电阻、高效率和符合环保标准的特点，适用于DC/DC转换器等应用。" 这款MOSFET的主要特性包括： 1. **环保无卤素**：符合IEC61249-2-21定义的无卤素标准，同时也符合RoHS指令2002/95/EC。 2. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET功率MOSFET结构，这种技术可以提供更高的开关速度和更低的导通电阻，从而提高整体电路效率。 3. **门极电阻测试**：100%的Rg测试确保了产品的质量和一致性。 4. **低导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(ON)仅为30mΩ，这有助于在高电流运行时降低功耗。 5. **阈值电压范围**：Vth在1.2~2.2V之间，这使得该器件在不同电压下有良好的控制性能。 6. **应用广泛**：主要应用于DC/DC转换器，适合需要高效能和小型化封装的电源管理场景。 产品参数如下： - **耐压能力**：VDS的最大额定值为30V，保证了MOSFET在正常工作电压下的稳定性。 - **电流能力**：在TJ=150°C时，连续漏极电流ID的最大值为6.5A，而在TJ=70°C时，这一值下降至6.0A。 - **脉冲电流**：IDM的最大脉冲电流为25A，满足瞬时大电流需求。 - **源漏二极管电流**：连续源漏二极管电流IS在TJ=25°C时为1.4A，而表面贴装在1"x1"FR4板上时，这一数值会降低。 - **最大功率耗散**：在不同温度下，PD的最大值不同，25°C时为1.7W，70°C时为1.1W。 - **工作与储存温度范围**：器件可以在-55°C到150°C的温度范围内稳定工作或储存。 此外，还有关于焊接推荐温度（260°C）和热阻抗的相关数据，这些参数对于在实际应用中考虑散热设计至关重要。在设计电路时，必须考虑到这些参数以确保MOSFET的长期稳定性和可靠性。