FDC6303N-VB: 20V双N沟道SOT23-6封装场效应管技术规格概览

FDC6303N-VB是一款双N沟道场效应晶体管，特别适合在20V的 Drain-Source (VDS) 电压下工作。它采用紧凑的SOT23-6封装形式，这使得它在小型电路板设计中非常适用，如1"x1" FR4板上的表面安装。该器件由两个独立的N沟道MOSFET组成，每个晶体管都有各自的 Gate-Source (VGS) 接口，允许独立控制。 主要特性参数如下： 1. **持续漏极电流**（ID）：在标准条件下（TJ=25°C），当VGS=4.5V时，单个晶体管的典型漏极电流ID为0.022A；当VGS=2.5V时，其值降低到0.028A。对于不同温度条件下的峰值电流，70°C时ID分别有下降。 2. **脉冲漏极电流**（IDM）：在150°C的结温下，该晶体管的最大脉冲漏极电流限制为18A，确保了在短时间内安全工作。 3. **源极-漏极二极管电流**（IS）：在室温下，IS约为1.17A，随着温度升高，这个值会有所减少。 4. **最大功率消耗**（PD）：在25°C的环境下，最大功率耗散为1.6W，而70°C时下降到1.0W或更低，以防止过热。 5. **温度范围**：FDC6303N-VB适用于-55°C至150°C的操作和储存温度，确保在各种应用中的稳定性。 6. **热阻**：热阻值对散热至关重要，其中Junction-to-Ambient热阻（RthJA）典型值为93°C/W，最大值可达110°C/W。此外，还提供了Junction-to-Foot的热阻数据，但具体数值未在提供的部分给出。 在使用过程中，需要注意以下事项： - 需要在不超过150°C/W的稳态条件下操作以避免过热。 - 焊接推荐的峰值温度为260°C，以防止晶闸管在焊接过程中受损。 - 当进行脉宽调制或高频率开关操作时，要考虑到脉冲电流限制和存储时间（t=5s）的影响。 FDC6303N-VB是一款高性能、紧凑型的N沟道MOSFET，适用于各种需要低导通电阻和良好散热管理的电子设备，特别是那些对小型化和高效能有需求的应用。在设计电路时，务必遵循制造商提供的规格和推荐的参数限制。