IRFR130ATM-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET详细参数

"IRFR130ATM-VB是一款N沟道TO252封装的MOSFET，适用于电源管理、开关应用等。这款MOSFET采用TrenchFET技术，能承受175°C的结温，并且符合RoHS指令。其主要特性包括优化的PWM性能、100%栅极电阻测试。" IRFR130ATM-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET，其设计和制造采用了先进的TrenchFET技术，这是一种通过在硅片上挖槽形成沟道的工艺，可以显著降低导通电阻，从而提高效率并减小热损耗。该器件的最大特点之一是它能在175°C的高温环境下稳定工作，这使得它适合在恶劣或高功率的应用场景中使用。 在电气特性方面，IRFR130ATM-VB的额定漏源电压（VDS）为100V，这意味着它可以在100V的电压下安全工作。当栅极电压（VGS）为10V时，其漏极-源极导通电阻（RDS(on)）为0欧姆，表明在正常工作条件下，其内阻非常低，能有效降低导通损耗。此外，这款MOSFET特别优化了PWM（脉宽调制）性能，使其在开关电源应用中表现出色。 IRFR130ATM-VB的绝对最大额定值包括100V的漏源电压，正负20V的栅极-源极电压，以及在不同温度下的连续漏极电流。在25°C的环境温度下，它可以连续通过13A的电流；而在125°C时，这个数值降至13A。脉冲漏极电流的最大值为40A，而连续源电流（当用作二极管时）则限制在3A。这款MOSFET还能够承受3A的雪崩电流，并且在特定条件下的单脉冲雪崩能量为18mJ。 在热性能方面，IRFR130ATM-VB的典型结到环境的热阻（RthJA）为15°C/W，最大值为18°C/W，这意味着每增加1W的功率损耗，芯片温度将上升15至18°C。此外，结到壳的热阻（RthJC）典型值为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W，这些参数对于评估器件的散热能力至关重要。 这款MOSFET封装为TO-252，这是一种常见的表面贴装封装，适用于各种电子设备。其引脚排列为G（栅极）、D（漏极）和S（源极）。IRFR130ATM-VB符合欧盟的RoHS指令，意味着它不含有害物质，对环境保护友好。 IRFR130ATM-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效、高温稳定性和低内阻的电源管理应用，如初级侧开关，以及其他需要高开关频率和低损耗的电路设计。