英飞凌IMBF170R1K0M1 CoolSiC™ SiC MOSFET技术规格
需积分: 5 188 浏览量
更新于2024-06-25
收藏 1.2MB PDF 举报
"IMBF170R1K0M1 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册提供了关于英飞凌的CoolSiC™1700V SiC Trench MOSFET的详细技术信息,适用于工业电源、能源生成及充电设备等领域。"
英飞凌的IMBF170R1K0M1是一款基于碳化硅(Silicon Carbide,SiC)材料的1700V SiC沟槽MOSFET。碳化硅作为一种革命性的半导体材料,其特性优于传统的硅基半导体,尤其在高压、高频和高温环境下表现更优。这款MOSFET是专为逆变器和开关电源应用中的飞回拓扑结构优化设计的。
关键特性包括:
1. 12V/0V栅极源电压兼容大多数飞回控制器,使得可以直接从控制器驱动MOSFET,简化系统复杂性。
2. 极低的开关损耗,这有助于提高效率并减少冷却需求,进而提升系统的整体性能。
3. 业界基准的栅极阈值电压VGS(th)为4.5V,确保了稳定的操作。
4. 可完全控制的dv/dt(电压变化率),有利于电磁兼容性(EMI)的优化。
该芯片的益处在于:
1. 减少系统复杂性,简化设计流程。
2. 可直接由飞回控制器驱动,无需额外的驱动电路。
3. 提升能效,降低冷却需求,使得设计更加紧凑和高效。
4. 由于其优异的电气特性,允许在更高的频率下工作,从而提高功率密度。
潜在的应用场景广泛:
1. 能源生成:如太阳能串式逆变器和太阳能中央逆变器。
2. 工业电源:包括工业不间断电源(UPS)和工业开关模式电源(SMPS)。
3. 基础设施充电设备:如充电产品的验证和应用。
根据JEDEC 47/20/22的相关测试,该芯片已通过工业应用的资格认证,确保了其在严苛环境下的可靠性和稳定性。
需要注意的是,源极和感测引脚不交换,它们的互换可能导致功能异常,因此建议仅在正向操作模式下使用。此外,手册中还包含了关键性能参数表,详细列出了MOSFET的各种电气特性,如额定电流、栅极电荷、输出电容等,为设计者提供了全面的设计依据。
2023-06-19 上传
2023-06-19 上传
2024-10-26 上传
2024-10-26 上传
芯脉芯城
- 粉丝: 4
- 资源: 4030
最新资源
- 掌握压缩文件管理:2工作.zip文件使用指南
- 易语言动态版置入代码技术解析
- C语言编程实现电脑系统测试工具开发
- Wireshark 64位:全面网络协议分析器,支持Unix和Windows
- QtSingleApplication: 确保单一实例运行的高效库
- 深入了解Go语言的解析器组合器PARC
- Apycula包安装与使用指南
- AkerAutoSetup安装包使用指南
- Arduino Due实现VR耳机的设计与编程
- DependencySwizzler: Xamarin iOS 库实现故事板 UIViewControllers 依赖注入
- Apycula包发布说明与下载指南
- 创建可拖动交互式图表界面的ampersand-touch-charts
- CMake项目入门:创建简单的C++项目
- AksharaJaana-*.*.*.*安装包说明与下载
- Arduino天气时钟项目:源代码及DHT22库文件解析
- MediaPlayer_server:控制媒体播放器的高级服务器