TI DSP TMS320VC5410外部Flash多页程序并行自举技术

"本文主要探讨了在EDA/PLD领域中，如何针对TI公司的TMS320VC5410 DSP芯片进行分页烧写Flash多页程序并行自举的方法。由于5410芯片自带的BootLoader仅支持加载32K字的外部程序，当需要更大的程序空间时，需要自行设计自举程序。文章首先介绍了Am29LV200B Flash存储器的特性以及分页烧写的基本过程，然后详细阐述了如何利用Bootloader实现多页程序的并行加载，以提高系统的启动效率和灵活性。" 在嵌入式系统设计中，TMS320VC5410 DSP由于其高性能和低功耗的特点，被广泛应用。然而，该芯片缺乏内置的非易失性存储器，使得外部的非易失性存储如Flash成为必需。5410芯片拥有64K字的片内RAM，为了利用其速度和功耗优势，通常会将程序从外部存储器加载到片内RAM执行。然而，原生BootLoader仅支持32K字的程序加载，这限制了代码的大小和复杂性。 Am29LV200B Flash存储器是一种常见的选择，它支持3V单电源操作，具有内部编程和擦除功能，并且可以对扇区进行独立操作。在5410系统中，这种Flash通常映射到片外数据存储空间，以存储超出32K字的程序。为了克服BootLoader的限制，设计者需要编写自定义的BootLoader来实现多页程序的加载。 分页烧写是解决这个问题的关键技术，它将大程序分割成多个小页，每次烧写一页到Flash中。在5410的环境下，这意味着设计自定义的BootLoader需要能够识别并处理这些分页，确保它们正确地被加载到片内RAM。 并行自举方法则是进一步提升效率的策略，通过同时处理多个Flash页面，可以显著缩短程序加载时间。这需要BootLoader具备控制和同步多页加载的能力，确保每个页面在正确的时间被加载，并且在全部页面加载完成后，能够正确地跳转到程序的入口点执行。 在实现这一过程时，设计者需要注意Flash的编程和擦除操作的时序，以及如何安全地检测这些操作的完成状态。此外，BootLoader的代码应该尽可能紧凑，以便在有限的片内RAM空间内运行。 本文提供的EDA/PLD中的分页烧写Flash多页程序并行自举方法，对于扩展TMS320VC5410 DSP的程序容量和优化系统启动性能具有重要的实践价值。通过这种方法，开发者能够充分利用芯片的全部功能，设计出更复杂、功能更丰富的嵌入式系统。