英飞凌IPA083N10NM5S MOSFET芯片中文规格书

"IPA083N10NM5S是英飞凌科技（INFINEON）推出的一款N沟道OptiMOS™ 5系列功率MOSFET芯片，其中文版规格书提供了详细的技术参数和特性。这款芯片特别适合高频开关和同步整流应用，具备优秀的门极电荷与导通电阻乘积（FOM），具有非常低的导通电阻（RDS(on)）和高能效表现。" 英飞凌的IPA083N10NM5S MOSFET芯片是一款100V耐压、N通道的常规电平器件，其主要特点包括： 1. **高性能**: 该芯片设计用于高效能的高频开关操作和同步整流，能提供卓越的性能。 2. **低导通电阻**: 其最大导通电阻(RDS(on))仅为8.3毫欧，这使得在大电流通过时能保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。 3. **优秀的FOM**: 门极电荷与RDS(on)的乘积（FOM）极佳，意味着开关速度快且损耗小，适合高频率应用。 4. **安全认证**: 产品已根据JEDEC标准进行验证，确保了其质量和可靠性。 5. **环境友好**: 采用无铅电镀工艺，符合RoHS标准，并且是卤素免费的，符合IEC61249-2-21标准。 技术参数方面，IPA083N10NM5S的主要参数包括： - **耐压(VDS)**: 100V，确保在额定工作条件下能承受的最高电压。 - **最大持续电流(ID)**: 50A，表明芯片可以安全处理的最大直流电流。 - **门极电荷(QG)**: 从0V到10V的门极电荷为30nC，反映了开关速度。 - **栅极电荷(Qoss)**: 41nC，是开关过程中由于电荷存储产生的能量损失。 此外，规格书还包含了关于最大额定值、热特性、电气特性图表以及封装轮廓等详细信息，帮助设计者了解和评估该芯片在实际应用中的性能和限制。修订历史、商标信息和免责声明也包含在文档中，为用户提供全面的参考和法律保障。 这款MOSFET采用PG-TO220 FullPAK封装，市场上的订购代码为IPA083N10NM5S，封装标记为083N105S。用户可以通过提供的相关链接获取更多产品信息和技术支持。