AM4825PE-T1-PF-VB P-Channel场效应MOS管详细介绍

AM4825PE-T1-PF-VB一款SOP8封装P-Channel场效应MOS管 本文将详细介绍AM4825PE-T1-PF-VB này款SOP8封装P-Channel场效应MOS管的特点、应用场景、电气特性和热设计等方面的知识点。 基本特点 AM4825PE-T1-PF-VB是一款P-Channel场效应MOS管，封装在SOP8封装中。它的最大漏源电压为-30V，最大漏电流为-11A，RDS(on)为10mΩ@VGS=10V，VGS=20V，阈值电压为-1.42V。 应用场景 AM4825PE-T1-PF-VB适用于各种电子设备，例如笔记本电脑、桌面电脑等负载开关应用。其TrenchFET®PowerMOSFET结构和100% Rg测试、100% UI测试确保了其高可靠性和高效性。 电气特性 AM4825PE-T1-PF-VB的电气特性如下： * 漏源电压：-30V * 漏电流：-11A * RDS(on)：10mΩ@VGS=10V，VGS=20V * 阈值电压：-1.42V * 连续漏电流：-11.6A * 脉冲漏电流：-40A * 漏源电阻：10mΩ * 门源电压：±20V * 工作温度范围：-55°C to 150°C 热设计 AM4825PE-T1-PF-VB的热设计考虑了热阻、热导和热 Interface等方面。其热阻为85°C/W，热导为5.6W，工作温度范围为-55°C to 150°C。 应用注意事项 在使用AM4825PE-T1-PF-VB时，需要注意以下几点： * 需要正确地安装和焊接设备，以避免热损害和电气损害。 * 需要遵守最大电气特性和热设计参数，以避免设备损害。 * 需要遵守安全规范和相关标准，以确保设备的可靠性和安全性。 AM4825PE-T1-PF-VB是一款高性能的P-Channel场效应MOS管，适用于各种电子设备的负载开关应用。其高可靠性、高效性和高安全性使其广泛应用于笔记本电脑、桌面电脑等领域。