LR120N-VB:100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"LR120N-VB是一种N沟道的TO252封装MOS场效应晶体管,适用于PWM优化的应用,具有100V的耐压能力,175°C的工作结温,以及在VGS=10V时的低RDS(on)特性。该器件100%通过了Rg测试,并符合RoHS指令2002/95/EC的要求。主要应用领域包括初级侧开关。"
LR120N-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET,其核心技术是TrenchFET®功率MOSFET技术,这种技术通过采用沟槽结构,显著降低了导通电阻,从而提高了效率并降低了热耗。这款MOSFET设计用于高温环境,其最大结温可达175°C,确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。
在电气参数方面,LR120N-VB的最大Drain-Source电压(VDS)为100V,这意味着它可以承受100V的电压差,适合在高电压系统中使用。而门极-源极电压(VGS)的最大值为±20V,确保了良好的控制特性。当VGS=10V时,其RDS(on)低至0欧姆,这表示在开启状态下,器件的内阻非常小,可以实现高效低损耗的电流传输。
LR120N-VB的最大连续漏极电流(ID)在25°C环境下为13A,在125°C环境下为13A,表明其具有较高的电流承载能力。此外,脉冲漏极电流(IDM)最大可达40A,适合处理瞬时大电流。对于连续源极电流(Diode Conduction),即用作二极管时,最大值为3A。该MOSFET还能够承受单脉冲雪崩能量(EAS)18mJ,表现出良好的雪崩耐受性。
在热性能方面,LR120N-VB的典型结-壳热阻(RthJC)为0.85°C/W,最大值为1.1°C/W,而结-环境热阻(RthJA)的典型值为15°C/W,最大值为18°C/W。这些参数对散热设计至关重要,它们决定了器件在不同环境温度下所能承受的最大功率损耗。最大功率耗散(PD)在25°C时为96W,但随着温度的升高,这个值会相应降低。
总结起来,LR120N-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适用于需要高耐压、低内阻和良好热管理的电源转换和开关应用。其小型TO-252封装使其易于安装在电路板上,且符合RoHS标准,符合现代电子产品对环保的要求。
2024-01-08 上传
2023-12-25 上传
2023-12-21 上传
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2023-12-27 上传
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