LR120N-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"LR120N-VB是一种N沟道的TO252封装MOS场效应晶体管，适用于PWM优化的应用，具有100V的耐压能力，175°C的工作结温，以及在VGS=10V时的低RDS(on)特性。该器件100%通过了Rg测试，并符合RoHS指令2002/95/EC的要求。主要应用领域包括初级侧开关。" LR120N-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道MOSFET，其核心技术是TrenchFET®功率MOSFET技术，这种技术通过采用沟槽结构，显著降低了导通电阻，从而提高了效率并降低了热耗。这款MOSFET设计用于高温环境，其最大结温可达175°C，确保在恶劣工作条件下仍能保持稳定性能。 在电气参数方面，LR120N-VB的最大Drain-Source电压（VDS）为100V，这意味着它可以承受100V的电压差，适合在高电压系统中使用。而门极-源极电压（VGS）的最大值为±20V，确保了良好的控制特性。当VGS=10V时，其RDS(on)低至0欧姆，这表示在开启状态下，器件的内阻非常小，可以实现高效低损耗的电流传输。 LR120N-VB的最大连续漏极电流（ID）在25°C环境下为13A，在125°C环境下为13A，表明其具有较高的电流承载能力。此外，脉冲漏极电流（IDM）最大可达40A，适合处理瞬时大电流。对于连续源极电流（Diode Conduction），即用作二极管时，最大值为3A。该MOSFET还能够承受单脉冲雪崩能量（EAS）18mJ，表现出良好的雪崩耐受性。 在热性能方面，LR120N-VB的典型结-壳热阻（RthJC）为0.85°C/W，最大值为1.1°C/W，而结-环境热阻（RthJA）的典型值为15°C/W，最大值为18°C/W。这些参数对散热设计至关重要，它们决定了器件在不同环境温度下所能承受的最大功率损耗。最大功率耗散（PD）在25°C时为96W，但随着温度的升高，这个值会相应降低。 总结起来，LR120N-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高耐压、低内阻和良好热管理的电源转换和开关应用。其小型TO-252封装使其易于安装在电路板上，且符合RoHS标准，符合现代电子产品对环保的要求。