半导体存储器详解：SRAM、DRAM、EPROM、EEPROM

"本教学资料主要涵盖了汇编语言中的存储器系统，重点在于理解不同类型的半导体存储器，包括SRAM 2114、DRAM 4116、EPROM 2764以及EEPROM 2817A。同时，讲解了存储器的分类、特性以及与CPU的连接方式。" 在计算机系统中，存储器扮演着至关重要的角色。存储器系统通常分为层次结构，包括CPU附近的高速缓存(CACHE)、主存（内存）和辅助存储器（外存）。本章重点关注的是主存，尤其是采用半导体技术实现的存储器。半导体存储器主要分为两大类：只读存储器（ROM）和随机存取存储器（RAM）。 RAM又细分为静态RAM (SRAM) 和动态RAM (DRAM)。SRAM利用触发器存储数据，具有速度快但集成度低的特点，常用于小容量高速缓存。而DRAM基于电容存储，虽然速度较慢但集成度高，适合构建大容量内存。非易失性RAM（NVRAM）如带有微型电池的类型，能在断电后仍保持数据。 ROM则分为多种类型，包括掩膜ROM（制造时预设数据，不可更改）、一次性可编程ROM (PROM)、紫外线擦除可编程ROM (EPROM)、电擦除可编程ROM (EEPROM) 和闪存（Flash Memory）。其中，EPROM可通过紫外线擦除和重编程，而EEPROM和闪存支持在线擦写，但闪存的擦除是以块为单位进行的。 半导体存储器芯片的结构包括存储体、地址译码电路和控制电路。存储体是芯片的核心，存储数据；地址译码电路根据地址选择特定的存储单元；控制电路负责选中芯片并控制读写操作。 对于学习者来说，掌握SRAM 2114、DRAM 4116、EPROM 2764和EEPROM 2817A的引脚功能至关重要。SRAM 2114是一种静态RAM，适合快速读写操作，而DRAM 4116则是动态RAM，需要定期刷新以保持数据。EPROM 2764是一种可编程的只读存储器，通过紫外线擦除，适用于程序存储。最后，EEPROM 2817A允许电擦除和编程，适合需要频繁更新数据的场合。 实验部分可能涉及将这些芯片与CPU连接，理解它们如何在实际系统中工作。学生需要了解如何设置地址、数据和控制信号，以正确读写存储器，并实现数据的存储和检索。此外，理解不同存储器的性能差异和适用场景，有助于优化系统的整体设计。