APM9948KC-TRL-VB：SOP8封装60V双N沟道MOSFET详细规格

"APM9948KC-TRL-VB是一款由VB Semiconductor制造的双通道N-Channel MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源管理、开关应用等场合。这款MOSFET具备TrenchFET技术，提供低电阻和良好的热性能。" APM9948KC-TRL-VB是VB Semiconductor公司生产的一款高性能双N-Channel MOSFET，设计用于需要高效能和紧凑封装的电子设备。该器件的主要特点包括： 1. **TrenchFET技术**：这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上刻蚀出深沟槽结构，提高了MOSFET的密度和开关速度，同时降低了导通电阻，从而降低功耗。 2. **额定电压和电流**：每个通道的漏源电压（VDS）为60V，能够承受较高的电压波动，而连续漏极电流（ID）在25°C时可达6A，适合处理较大电流的应用。 3. **低导通电阻**：在VGS=10V时，RDS(on)仅为27毫欧，这表示在导通状态下器件的内阻非常低，能有效降低电源转换过程中的能量损失。 4. **阈值电压**：Vth=1.5V，这意味着当栅极电压达到1.5V时，MOSFET将开始导通，这一特性对于精确控制器件的开关状态非常重要。 5. **测试和保证**：100%的Rg和UIS测试确保了产品的可靠性和一致性，这在高要求的应用中至关重要。 6. **封装形式**：采用SOP8封装，小巧的尺寸便于在电路板上安装，节省空间。 7. **热性能**：在1英寸见方的FR4材料PCB上，其结到外壳的热阻（RθJC）被规定，反映了器件在工作时的散热能力。 8. **绝对最大额定值**：包括60V的VDS、±20V的VGS、7A的ID（25°C时）、4A（125°C时）、28A的脉冲漏极电流（IDM）、以及18A的单脉冲雪崩电流（IAS），确保了器件在极限条件下的安全操作。 9. **热耗散**：最大功率损耗在25°C时为4W，在125°C时为1.3W，需要考虑散热方案以保持器件的稳定运行。 APM9948KC-TRL-VB是针对高效率、低损耗应用的理想选择，尤其适合于需要小体积、大电流处理能力和良好热管理的电源管理或开关电源设计。其独特的TrenchFET技术和严格的测试标准确保了其在各种电子系统中的可靠性能。