F7471-VB：SOP8封装N-Channel 40V MOSFET技术规格与应用

"F7471-VB是一款由VB Semiconductor制造的SOP8封装的N-Channel场效应MOSFET，适用于40V工作电压，具有低内阻（RDS(ON)=14mΩ）和高电流能力（10A）。这款MOSFET符合RoHS指令，并进行了100%的Rg和UIS测试，适用于同步整流、POL电源和集成电路次级侧应用。" 详细说明： F7471-VB是一款N沟道MOSFET，采用SOP8（小外形封装）封装，设计有TrenchFET技术，这种技术通过在硅片上创建沟槽结构来减小器件的表面积，从而降低电阻并提高效率。其关键参数包括： 1. **工作电压（VDS）**：最大额定Drain-Source电压为40V，这意味着它可以安全地处理不超过40V的电压差。 2. **电流能力（ID）**：在25°C时，连续漏极电流达到10A，而在70°C时，这个值会有所下降。此外，它还可以在150°C时承受短暂的脉冲电流IDM，峰值为50A。 3. **内阻（RDS(ON)）**：在VGS=10V和20V时，RDS(ON)分别为14mΩ，这代表了当栅极电压达到特定值时，源极到漏极的导通电阻，低的RDS(ON)意味着在高电流传输时有更低的功率损耗。 4. **阈值电压（Vth）**：阈值电压为1.6V，这是控制MOSFET开启和关闭的最小栅极电压。低于这个电压，MOSFET将保持截止状态。 5. **测试与合规性**：该器件符合IEC61249-2-21定义的无卤素标准，通过了100%的Rg和UIS测试，确保了电气性能的可靠性。同时，它符合RoHS指令2002/95/EC，表明它是环保的，不含铅和其他有害物质。 6. **应用领域**：F7471-VB特别适合于同步整流（提高DC-DC转换器效率）、POL电源模块（Point-of-Load）和集成电路（IC）的次级侧应用。 7. **安全操作区（SOA）**：器件可以承受15A的雪崩电流和11mJ的雪崩能量，保证了在过载条件下的稳定性。 8. **热特性**：最大功率耗散（P）取决于温度，例如在25°C时为6W，而在70°C时为2.5W。器件的最大结温范围是-55至150°C，存储温度范围也是相同的。 综合以上特点，F7471-VB是一个高性能、低内阻的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、小型化和高可靠性的电源管理电路。