HY63V8400系列512Kx8位CMOS高速SRAM技术规格

"此文档是HYNIX HY63V8400系列512Kx8位CMOS高速静态RAM的初步产品描述，可能在不通知的情况下进行更改。 Hyundai Electronics不对所描述的电路的使用承担任何责任。未暗示任何专利许可。" 正文： HYNIX-HY63V8400系列是一款专为高性能电路设计的512Kx8位CMOS高速静态随机存取存储器（SRAM）。该设备具有4,194,304位的存储容量，组织形式为524,288个8位字。它利用8条通用输入和输出线路，并配备了一个输出使能引脚，其操作速度比地址访问时间更快，这使得读取周期的效率显著提高。 该内存芯片由Hyundai的先进CMOS工艺制造，这种工艺旨在满足高速电路技术的需求。因此，它特别适用于需要高密度和高速度系统应用的场合。以下是HY63V8400的主要特性： 1. **单一3.3V±0.3V电源供应**：该器件只需要一个3.3伏特的电源，允许更简单的电源管理并确保低功耗操作。 2. **完全静态操作和三态输出**：不需要时钟来保持数据，而且输出可以在不活动时处于高阻抗状态，减少对其他电路的干扰。 3. **TTL兼容输入和输出**：与TTL逻辑水平兼容，易于与其他TTL或CMOS电路集成。 4. **低数据保留电压**：对于L版本，最低数据保留电压为2.0V，这有助于降低功耗并提高系统的可靠性。 5. **中心电源/地线配置**：电源和地线位于器件的中心，有助于优化信号完整性并减少噪声。 6. **标准引脚配置**：提供两种封装选项，分别是36引脚400mil SOJ（小型轮廓封装）和44引脚400mil TSOP-ll（薄型小外形封装），方便不同应用场景的选择。 在性能方面，HY63V8400有特定的操作速度和待机电流指标。操作速度指的是在给定电压下的数据传输速率，而待机电流则是在非活动状态下设备消耗的电流。这些参数对于评估在实际应用中的性能和功耗至关重要。然而，具体的操作速度、电压和待机电流值并未在摘要中给出，通常会根据产品规格书的详细信息来确定。 HYNIX的HY63V8400系列是针对高性能和高密度应用设计的高速SRAM解决方案，结合了低功耗、高速度和兼容性等优势，为系统设计师提供了灵活且高效的内存选择。