NCE55P15-VB：P沟道60V TrenchFET MOSFET技术规格

"NCE55P15-VB是一款P沟道60V MOSFET，采用TO220封装，适用于电源开关、高电流应用中的负载开关和DC/DC转换器等应用。该器件符合RoHS指令，无卤素，并经过100%的Rg和UIS测试。其主要特性包括TrenchFET功率MOSFET技术，提供了低的导通电阻和良好的热性能。" NCE55P15-VB是P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种，设计用于高效率电源管理和大电流应用。其工作电压最高可达60V，能够承受短暂的脉冲电流高达100A，而连续工作时的最大漏源电流为45A（在环境温度25°C时）或39A（在70°C时）。这个MOSFET采用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出细小的沟槽来减小晶体管的尺寸，从而降低导通电阻，提高工作效率。 MOSFET的主要参数包括： 1. **漏源电压VDS**：最大值为-60V，表示MOSFET可以承受的最高电压。 2. **导通电阻RDS(on)**：在VGS=-10V时，RDS(on)为0.0480Ω；在VGS=-4.5V时，RDS(on)为0.0560Ω。低的RDS(on)意味着在导通状态下，流过器件的电流造成的压降较小，损耗也就更少。 3. **栅源电压VGS**：允许的最大电压为±20V，对于P沟道MOSFET来说，开启通常需要负的栅极电压。 4. **脉冲漏源电流IDM**：短时最大脉冲电流为-100A，但必须注意，由于热效应，持续时间不能超过300微秒。 5. **雪崩能量EAS**：在特定条件下，单次雪崩能量最大为51mJ，这表明器件能承受一定的过载条件而不损坏。 此外，NCE55P15-VB的热性能也很重要，包括： 1. **最大功率耗散PD**：在25°C环境下，最大功率耗散为41.7W，而在实际应用中，考虑到散热，可能需要限制在2.1W。 2. **结温范围TJ/Tstg**：工作和存储温度范围为-55至150°C，确保了在各种环境下的可靠性。 3. **热阻抗**：包括从结到环境的RthJA（60°C/W）和从结到外壳的RthJC，这两个参数影响了器件的散热能力。 这款MOSFET特别适合用作电源开关，如在DC/DC转换器中控制电流流动，或在高电流应用中作为负载开关。由于其低的RDS(on)，NCE55P15-VB能够在开关操作中实现高效率。同时，符合RoHS标准且无卤素，使其对环境友好，满足现代电子产品的环保要求。注意，根据提供的安全工作区曲线，应避免超出推荐的工作条件，特别是长时间的大电流或高电压操作。