英飞凌600V CoolMOS C7 MOSFET技术规格手册

IPP60R120C7是一款由INFINEON Technologies推出的高性能600V CoolMOS™ C7系列功率晶体管，专为高压应用设计，采用了革命性的超级结(SJ)技术。这款器件在600伏特电压等级下，其栅极漏电流（RDS(on)）达到了业界领先的低值，仅为1欧姆每平方毫米（1 Ohm*mm²），显著降低了开关损耗，从而提高了转换效率。 该芯片的主要特点包括： 1. 适应性广泛：IPP60R120C7适合硬切换和软开关应用，如电力因数校正(PFC)电路以及高效率的高频 LLC（推挽式功率因数变换器）技术，这表明它在电源管理、电机控制等多市场领域具有很高的灵活性。 2. 增强的耐受能力：与传统MOSFET相比，600V CoolMOS™ C7的dv/dt抗扰性提升到了120伏特每纳秒（120V/ns），这意味着它能更好地应对快速瞬变电压变化，提高系统稳定性。 3. 高效性能：凭借出色的FOM（每单位面积的导通电阻、输出电感和电荷密度）值，这款器件能够实现更高的效率，有助于降低整体系统能耗。 4. 包装优势：在同类产品中，IPP60R120C7的RDS(on)/封装比表现出色，这意味着在保持高效率的同时，还具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。 5. 工业级认证：该产品已按照JEDEC标准（J-STD20和JESD22）进行了工业级应用的严格测试，确保了在高温、高可靠性和长期工作条件下的稳定表现，适用于对可靠性有极高要求的工业级设备。 INFINEON的IPP60R120C7是一款高性能、低损耗的600V MOSFET，集成了创新的超级结技术和多项关键特性，是设计高效、可靠的高压开关解决方案的理想选择，尤其适用于那些追求高效、小型化和工业级耐用性的电子系统。