ESMT FM64D1G56A：1GB NAND Flash与256MB Mobile DDR SDRAM的多芯片封装

本文档介绍了ESMT FM64D1G56A这款高级的多芯片封装产品，它是一款结合了1-Gbit NAND闪存与256-Mbit Mobile DDR SDRAM的解决方案。由EliteSemiconductor Memory Technology Inc.（精英半导体存储技术公司）开发，于2012年4月发布，修订版为0.2。这款产品的主要特点包括： 1. **产品特性**: - 多芯片封装：提高了集成度和灵活性，便于系统设计。 - 高密度存储：1GB NAND闪存和256MB Mobile DDR SDRAM，满足大容量数据处理需求。 - 封装形式：采用130球BGA封装，占用面积仅为8x9mm，高度仅为1mm，适合紧凑型设计。 2. **工作电压和温度范围**: - NAND闪存工作电压在1.7V至1.95V之间，兼容性强。 - Mobile DDR SDRAM同样工作在1.7V至1.95V范围内。 - 温度范围宽广，从-25°C到+85°C，确保在各种环境下的稳定性能。 3. **内部组织**: - 内部采用64M+2M个16位内存单元的数组结构，支持复用地址和数据信号。 - 数据寄存器具有1K+32个16位单元，便于高效数据处理。 - 自动编程和擦除功能，包括单页编程和块擦除操作。 4. **读取操作**: - 单页读取速度达到25us（最大值），支持随机访问和串行访问，后者最低时间为45ns。 - 每个内存单元存储1位信息，提高存储密度。 5. **写入性能**: - 快速编程时间典型为250us，块擦除时间典型为2ms，优化了数据写入速度。 6. **接口和保护**: - 通过命令/地址/数据复用I/O端口实现高效通信。 - 硬件数据保护功能强大，包括在电源转换期间防止程序和擦除操作，保障数据安全。 - 采用可靠的CMOS浮动门技术，提供长时间的耐用性。 7. **耐久性**: - 提供了详细但未在文档中列出的具体耐久度指标，通常涉及擦写次数或数据保持时间等关键参数。 ESMT FM64D1G56A是一款专为移动设备和高性能系统设计的高性能存储解决方案，集成了高速闪存和内存，适用于对性能、密度和稳定性有高要求的应用场合。它的设计和技术特点使得它在现代电子设备中扮演着重要角色。