Q7616PH2MDGPAR LPDDR4 芯片技术规格详解

"MEMORY RAM芯片Q7616PH2MDGPAR是低功耗DRAM (LPDDR4)规格的FBGA封装芯片，主要用于需要高效能、低能耗的电子设备中。这款芯片提供了高密度存储解决方案，适用于各种现代计算和移动设备。" Q7616PH2MDGPAR内存芯片的详细规格如下： 1. **密度**：该芯片的存储密度为24Gbits，这意味着它具有极大的存储容量，可满足高性能应用的需求。 2. **组织结构**：768Mb × 16 I/O × 2 通道的设计，意味着芯片包含两个独立的16位数据通道，每个通道有768兆比特（Mb）的存储容量，总计1.5GB（Gigabits）或1953MB（Megabytes）。 3. **地址映射**：行地址范围从R0到R15，其中R14在R15为1时无效；列地址范围从C0到C9。这样的地址映射允许芯片高效地访问大量存储位置。 4. **封装**：采用200球脚的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，这种封装方式紧凑且引脚密集，有利于减小电路板空间占用。 5. **电源**：主要工作电压为VDD1=1.8V（范围1.70V至1.95V），VDD2、VDDCA和VDDQ=1.1V（范围1.06V至1.17V）。低电压设计旨在降低功耗。 6. **数据速率**：最大数据传输速率为2400Mbps（兆比特每秒，当回路电阻RL=24时），这代表了极高的数据处理速度。 7. **并发操作**：具有8个内部银行，支持同时操作，提高数据访问效率。 8. **接口**：采用HSUL_12高速接口，保证高速数据传输的稳定性。 9. **突发长度**：支持BL16、BL32以及飞行中更改（on-the-fly）模式，通过MRS（Mode Register Set）命令启用。 10. **延迟控制**：具备可编程的读取延迟（RL）和写入延迟（WL），允许根据系统需求进行调整。 11. **预充**：每个突发访问都可选择自动预充功能，优化访问效率。 12. **驱动强度**：支持可编程驱动强度，以适应不同的工作环境。 13. **刷新机制**：包括自动刷新和自刷新模式，刷新周期为8192周期/32毫秒，平均刷新间隔3.9微秒。 14. **温度范围**：工作温度范围从-10°C到+85°C，确保芯片在广泛的操作环境下稳定工作。 15. **节能特性**： - **按银行刷新**（Per Bank Refresh）：允许对单个内存银行进行刷新，节省能量。 - **部分数组自刷新**（Partial Array Self-Refresh，PASR）：包括银行屏蔽和段屏蔽功能，仅刷新实际使用部分，进一步降低功耗。 - **自动温度补偿自刷新**（Auto Temperature Compensated Self-Refresh, ATCSR）：通过内置的温度传感器自动调整刷新策略以适应温度变化。 - **所有银行自刷新和定向按银行自刷新**：提供更加灵活的刷新管理，优化能源效率。 Q7616PH2MDGPAR内存芯片是一款高性能、低功耗的LPDDR4解决方案，其特点在于高密度存储、高速数据传输和智能刷新管理，适用于需要高效数据处理和节能特性的电子设备。