SOP8封装N+P沟道FDS4885C-NL-VB场效应MOS管技术规格

"FDS4885C-NL-VB是一款采用SOP8封装的双通道N+P沟道场效应MOS管，适合于电机驱动等应用。它符合无卤素IEC61249-2-21标准，并且是RoHS指令2002/95/EC的合规产品。该器件采用了TrenchFET功率MOSFET技术，并通过了严格的测试。其主要特性包括低RDS(ON)、稳定的阈值电压以及在不同工作条件下的额定电流和温度限制。" 文章内容： FDS4885C-NL-VB是一款由VBsemi制造的高性能场效应MOS管，它具备SOP8（小外形封装）封装，这种封装方式使得它在空间有限的应用中具有良好的集成性。此MOS管设计有N+P沟道，这意味着它可以同时支持正向和反向电流流动，为电路设计提供了更大的灵活性。 该器件的主要特性之一是其TrenchFET技术，这是一种先进的MOSFET结构，通过在硅片上形成深沟槽，能够显著降低导通电阻RDS(ON)，从而提高效率。对于N-Channel，RDS(ON)在VGS=10V时仅为15mΩ，而在VGS=20V时为19mΩ，这表明在较高的栅极电压下，MOSFET能更好地导通电流。同样，P-Channel的RDS(ON)在VGS=-10V时为0.017A，而在VGS=-4.5V时为0.022A。 阈值电压Vth设定在±1.8V，这个数值对控制MOSFET的开启和关闭至关重要，确保了在设计电路时可以精确地控制电流流动。此外，这款MOS管满足RoHS指令，表明它不含卤素，符合环保要求。 在应用方面，FDS4885C-NL-VB适用于电机驱动，这可能包括电动车、家电和其他需要高效电源管理的设备。它的最大连续漏源电流ID在25°C时分别为N-Channel的7.6A和P-Channel的6.8A，而脉冲漏源电流（10μs脉宽）则可达到30A，这意味着它可以在短时间内处理较大的峰值电流。 在绝对最大额定值方面，MOSFET的源漏电流IS和源漏二极管电流在25°C时分别为3.6A和-3.6A，脉冲源漏电流SM也能承受30A的冲击。单脉冲雪崩电流IA和能量EA分别限定了MOSFET在短路或过载情况下的安全操作范围。 总体而言，FDS4885C-NL-VB是一款设计精良的双通道MOS管，适合需要高效率、低功耗和可靠性的电机驱动应用。其紧凑的封装、出色的电气性能以及对环保标准的遵循，使其成为电子设计工程师的优选元器件。