CEU12N10-VB MOSFET：100V N沟道功率MOSFET技术分析

"CEU12N10是一款由VBsemi生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用TO252封装，适用于高压、大电流的应用场景。其主要特点包括100V的工作电压，18A的连续漏极电流，以及在10V和4.5V栅极电压下的低RDS(ON)，分别为115mΩ和121mΩ。此外，该器件满足RoHS指令要求，并经过100%栅极电阻测试，适合PWM优化设计。常应用于电源开关等场景。" CEU12N10 MOSFET是一款高性能的N沟道功率场效应晶体管，其关键特性在于其TrenchFET技术，这是一种利用精密沟槽结构实现的MOSFET技术，能显著降低导通电阻，提高效率。该器件的工作电压VDS高达100V，适合处理高压环境下的电路切换。同时，它的最大连续漏极电流ID可达18A，表明其能处理较大的电流负载。 在电气特性方面，CEU12N10的RDS(ON)是衡量其导通电阻的关键指标，低的RDS(ON)意味着在导通状态下的功率损耗小。在10V的栅极电压下，RDS(ON)为115mΩ，而在4.5V的栅极电压下，这一值为121mΩ，这在100V等级的MOSFET中是非常优秀的。这种低电阻特性使得它在开关电源、电机驱动等应用中能提供高效能和低热损耗。 此外，这款MOSFET能在175°C的结温下工作，表明其有良好的热稳定性。尽管连续漏极电流在高温下会有所下降，但13A的连续漏极电流（在125°C时）仍能满足许多应用需求。脉冲漏极电流IDM达到40A，表明其瞬态处理能力较强。 CEU12N10的绝对最大额定值是安全使用该器件的重要参考，如100V的源漏电压、±20V的栅源电压，以及96W的最大功率耗散（在25°C环境下）。热性能方面，结至环境的热阻RthJA在15到18°C/W之间，而结至壳的热阻RthJC在0.85到1.1°C/W，这些数据对于散热设计至关重要。 这款器件的封装形式是TO-252，这是一种常见的表面贴装封装，适用于各种PCB布局。同时，CEU12N10符合RoHS指令，表明它是无铅且环保的。CEU12N10 MOSFET是高电压、大电流应用的理想选择，特别适用于电源主侧开关、电机控制以及其他需要高效能和低功耗切换的场合。