TI TMS416400A与TMS417400A：4GB动态随机访问内存数据表

TI-TMS416400A是一款高性能的动态随机访问存储器(DRAM)芯片，其型号与TMS417400A共享相似特性。这款产品的主要特点包括： 1. 组织结构：TMS416400A采用了4194304位的组织方式，即每个内存单元包含4个比特，总计可以存储16777216比特的数据，这使得它非常适合大规模的数据存储应用。 2. 电源需求：该芯片支持单个5伏电源供电，但具有±10%的电压容差范围，确保了在电源不稳定的情况下也能保持良好的性能。 3. 刷新周期：对于TMS417400A，其刷新周期为2048个周期，在32毫秒内完成，而TMS416400A的刷新周期则为4096个周期，在64毫秒内完成，这反映了不同版本之间在数据保留时间上的差异。 4. 性能指标：TMS41x400A系列提供了三种不同的速度等级，包括'41x400A-50, '41x400A-60, 和 '41x400A-70，分别对应不同的存取时间（tRAC, tCAC, tAA）和最大写入周期，以满足不同应用场景对速度和延迟的需求。 5. 高级功能：TMS41x400A支持增强的页面模式操作，采用CAS（Column Address Select）先于RAS（Row Address Select）的刷新策略，提高数据读取速度。此外，它还提供3态无锁存输出，有助于减少信号干扰，提升信号质量。 6. 低功耗设计：该芯片注重能效，具有低功耗特性，这对于电池供电或能源受限的应用特别有利。 7. 封装形式：TMS416400A采用高可靠性的塑料24/26引脚SMT小型外形J-lead (SOJ) 封装，即DJS后缀，这种设计提供了紧凑的尺寸和优良的散热性能，适用于各种集成度高的电路板设计。 8. 工作温度范围：TMS41x400A能够在宽广的环境温度范围内稳定工作，从0°C到70°C，保证了在各种气候条件下都能持续高效运行。 TI-TMS416400A是一款针对高性能、低功耗和可靠性的应用设计的DRAM，广泛应用于计算机系统、嵌入式设备以及需要大量存储容量和快速数据传输的电子设备中。它的优势在于灵活的刷新策略、高效的页式操作和多种速度等级的选择，满足不同应用场景的不同性能需求。